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公开(公告)号：CN111693480A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010454297.4
申请日：2020-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 山东大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本申请提供一种竖式微型红外气体传感器，包括：微型光学气室、红外光源、红外探测器、信号转接板和ASIC芯片；微型光学气室集成于信号转接板的一侧，ASIC芯片集成于信号转接板的另一侧；红外光源和红外探测器集成于信号转接板上与微型光学气室连接的一面上；微型光学气室包括光输入端和光输出端，光输入端与红外光源连接，光输出端与红外探测器连接；微型光学气室的光路为竖式折叠反射结构；光路与信号转接板垂直设置；竖式微型红外气体传感器为系统级混合封装，红外光源和红外探测器均为芯片级封装，红外光源、红外探测器和ASIC芯片之间为板级集成封装。该红外气体传感器采用系统级混合集成封装，能够有效减小红外气体传感器的体积。
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公开(公告)号：CN108007580B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711447533.4
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN110687064A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875339.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器。红外探测器包括：所述红外探测器包括：n个检测单元和m个补偿单元，其中n≥1，m≥1；每个所述检测单元包括1个探测芯片和1种第一类超材料滤波结构；每个补偿单元包括1个探测芯片和1种第二类超材料结构。本申请实施例所述的红外探测器，把多个超材料滤波结构集成设置在一个红外探测器上，超材料滤波结构替代传统滤光片的功能，一种超材料滤波结构通过一种待测气体对应的红外光，多种气体对应多种超材料滤波结构与多个探测芯片，实现了红外探测器芯片级的集成，提高了传感器的集成度。
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公开(公告)号：CN110143567A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910412266.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种悬空的黑介质薄膜及其制备方法以及应用，包括：S1：提供一种半导体单晶衬底，在该衬底表面制备出薄膜掩膜，并刻蚀出窗口阵列，露出窗口阵列内的半导体单晶衬底表面；S2：采用湿法技术腐蚀该半导体单晶衬底表面，形成微纳金字塔结构；S3：移除薄膜掩膜，继而在半导体单晶衬底的表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑介质薄膜；S4：对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及S5：采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放所述黑介质薄膜和支撑膜结构，即得。本发明采用微加工技术，以微纳金字塔结构为模，批量制备出悬空的黑介质薄膜，该薄膜在未来可广泛应用于增强光吸收辐射和减少热量损耗的光探测和光源等领域。
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公开(公告)号：CN109504740A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811416641.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/682
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，特别是涉及一种循环放大检测方法及其用途。本发明提供一种检测试剂盒，包括：锁匙双链DNA分子、第一发卡结构DNA分子、第二发卡结构DNA分子……第N发卡结构DNA分子，至少部分的发卡结构DNA分子连接有荧光分子，至少部分的发卡结构DNA分子连接有标记分子。本发明公开一种基于发卡结构DNA分子依次打开形成复合核酸结构的循环放大策略并联合微阵列技术的荧光传感器，用于多种分子的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427908A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710734604.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01N27/414 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法，晶体管制备包括：提供基底，并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层，第二材料层为含硅材料层；形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形；刻蚀叠层材料层，直至暴露出基底；腐蚀上述结构，得到三维硅纳米线阵列沟道、源区及漏区；于硅纳米线沟道表面沉积介质层；于源区、漏区的顶部表面以及纳米线沟道外围的基底上制作源电极、漏电极及栅电极。通过上述方案，本发明的生物传感器具有环栅式结构，可实现360°环绕式感应，硅纳米线场效应晶体管采用三维堆叠的阵列结构，可减小器件尺寸，实现信噪比的提升，省略源漏掺杂的步骤，工艺简单适于批量生产。
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公开(公告)号：CN108751122A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810471981.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81C1/00468 , B81B7/02 , B81C1/00523 , B81C2201/013 , H05B3/20
Abstract: 本发明提供一种三维微型加热器及制备方法，制备包括：提供半导体衬底，形成具有平台腐蚀窗口牺牲层；腐蚀半导体衬形成若干个下沉平台结构；形成定义有加热膜区、支撑梁区及电极区的介质薄膜，加热膜区经支撑梁区与电极区连接；制备加热电阻丝、连接引线、电极、电极引线；于介质薄膜上形成薄膜释放窗口；腐蚀半导体衬底形成隔热腔体，以释放出加热膜区及支撑梁区。通过上述方案，本发明的三维加热器具有凹槽形下沉平台结构加热膜区阵列，加热电阻丝排布在下沉平台阵列内部，加热膜区结构稳定、功耗低，加热电阻丝加热分布均匀，具有大的气体接触面积和气体流通速度；在不同下沉平台结构上设置不同形状及布局的加热电阻丝，实现加热膜区热量调整。
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公开(公告)号：CN104637776B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510030729.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国航天员科研训练中心
Abstract: 本发明涉及一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用，其特征在于所述的圆柱形离子阱由两个端盖电极硅片与圆柱形电极硅片分两次键合形成一体式结构。所述一体式结构是由三个硅片通过两次键合而成，其中上下层两个硅片是端盖电极，通过湿法腐蚀、硅深刻蚀以及溅射金属等工艺制备，中间层硅片是圆柱形电极，通过刻蚀通孔以及溅射金属等工艺形成。本发明工艺步骤少，工艺难度较低，成品率高，在质谱仪微小型化领域有着广泛的应用前景。可望应用于微小型质谱仪，检测不明危险物的检测、野外实时分析、密闭环境的检测或工业多点轮测。
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公开(公告)号：CN103928296B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310015049.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , C01B32/184 , C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。
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公开(公告)号：CN104049112B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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