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公开(公告)号：CN112533358A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011330388.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供了一种高频微波多层电路板及高频微波组件，属于微波电路板技术领域，包括多层PCB基板以及芯片，多层PCB基板包括依次层叠的顶层介质板、多层中间介质板以及底层介质板，多层PCB基板上设有凹槽，凹槽深至多层中间介质板的任一层或深至底层介质板；芯片键合于凹槽内外露的底层介质板上，芯片通过键合丝沿底层介质板射频传输，凹槽构成波导腔；芯片正下方的底层介质板设有接地孔，芯片通过接地孔接地；多层PCB基板上设有贯穿各层介质板的导电孔，各层介质板通过导电孔实现互连。本发明提供的高频微波多层电路板，大幅缩短了射频传输的微波地和结构地之间的距离，即减小了微波地和结构地之间的寄生电感，优化了高频传输性能。
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公开(公告)号：CN111029320A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155009.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种射频微波电路板及制备方法，射频微波电路板包括基板，设有第一通孔，正面介质层，设置在基板的上表面，正面介质层设有贯穿正面介质层的上表面和下表面的第二通孔和第三通孔，第一通孔内的金属浆料记为第一金属柱，第二通孔内的金属浆料记为第二金属柱；第一芯片设置在基板的上且在第三通孔内，第一芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连；第二芯片设置在正面介质层的上表面，第二芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连；背面介质层，设置在基板背面。本发明通过在基板上设置正面介质层和背面介质层，形成四层电路板结构，芯片既能安装在基板上又能安装在正面介质层上，射频微波电路板布线更方便。
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公开(公告)号：CN110797620A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911005395.3
申请日：2019-10-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676549A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910841410.1
申请日：2019-09-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明适用于微波毫米波电路技术领域，提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件，该结构包括：金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体；每个微带探针装置的正面设置微带线和微带探针；金属盒体置于两个微带探针装置之间，与每个微带探针装置的背面连接，且每个微带探针装置上设置的微带探针的位置与过渡腔体的位置对应；两个介质匹配块分别设置在两个微带探针装置的正面，且与过渡腔体的位置对应，用于形成短路活塞结构，微带线垂直过渡结构的结构简单，易于装配，并且设置的短路活塞结构从而可以实现高频、低损耗、小型化的微波毫米波垂直过渡结构。
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公开(公告)号：CN216146486U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202121434826.0
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H05B6/68
Abstract: 本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片。该可编程频率源芯片包括微处理器和至少两个频率源通道，每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元；信号产生单元用于产生预设频率的第一功率信号，第一衰减单元用于对第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号，移相单元用于对接收到的信号进行移相处理，第二衰减单元用于对接收到的信号进行第二衰减处理；微处理器用于控制每个频率源通道的信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元以控制每个频率源通道输出信号的频率、相位和功率。本申请实施例能够对可编程频率源芯片的输出功率进行较为精确的控制。
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公开(公告)号：CN216146307U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202121483370.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型涉及滤波器技术领域，提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振器，串联连接在输入端子和输出端子之间；多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七至第十薄膜体声波谐振器，第七、第八和第十薄膜体声波谐振器的一端分别连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器之间、第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器之间、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器之间的节点上，第九薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器串联，可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN210956660U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201922044537.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/485
Abstract: 本实用新型公开了一种射频微波电路板，射频微波电路板包括：基板，设有第一通孔，正面介质层，设置在基板的上表面，正面介质层设有贯穿正面介质层的上表面和下表面的第二通孔和第三通孔，第一通孔内的金属浆料记为第一金属柱，第二通孔内的金属浆料记为第二金属柱；第一芯片设置在基板的上，且在第三通孔内，第一芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连；第二芯片设置在正面介质层的上表面，第二芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连；背面介质层设置在基板的背面。本实用新型通过在基板上设置正面介质层和背面介质层，形成四层电路板结构，芯片既能安装在基板上又能安装在正面介质层上，射频微波电路板布线更方便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209658156U
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201920481525.X
申请日：2019-04-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/055 , H01L23/66 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型提供了一种信号连接用三维垂直互联结构，属于芯片封装微波信号互联技术领域，包括盒体、上基板、下基板及至少一个用于信号连接的引线，盒体的正面设置有开口朝上并用于容纳上基板的上腔体，反面设置有开口朝下并用于容纳下基板的下腔体，上基板固定设置在上腔体的底面上，下基板固定设置在下腔体的顶面上；上腔体的底面与下腔体的顶面齐平或低于下腔体的顶面，上腔体和下腔体相互靠近的端部重叠形成交叉连通部，上腔体、交叉连通部和下腔体形成贯穿盒体正面和反面的竖向通道。本实用新型提供的信号连接用三维垂直互联结构，三维垂直互联结构占地空间小、装配效率高，且价格低廉。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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