3dB电桥及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110797620A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911005395.3

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 本发明属于无线电技术领域,涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括:输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片;第一平行微带线呈正U字形,第二平行微带线呈倒U字形,两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上;第一平行微带线的第一端与输入端口连接,第二端与直通端口连接,第二平行微带线的第一端与耦合端口连接,第二端与隔离端口连接;介质基片的背面设置缺陷地结构;金属垫片设置在介质基片的背面,且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小,插入损耗小,有效提高电桥的耐功率能力,提高产品可靠性。

    3dB电桥及其制备方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110797620B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN201911005395.3

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 本发明属于无线电技术领域,涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括:输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片;第一平行微带线呈正U字形,第二平行微带线呈倒U字形,两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上;第一平行微带线的第一端与输入端口连接,第二端与直通端口连接,第二平行微带线的第一端与耦合端口连接,第二端与隔离端口连接;介质基片的背面设置缺陷地结构;金属垫片设置在介质基片的背面,且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小,插入损耗小,有效提高电桥的耐功率能力,提高产品可靠性。

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