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公开(公告)号：CN119738969A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510043592.3
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种大视场均匀脉冲激光发射光束系统。该大视场均匀脉冲激光发射光束系统包括：激光发射光源，用于产生激光光束；准直透镜，用于在子午方向对所述激光发射光源产生的激光光束进行准直；微透镜阵列，包括多个柱镜子单元，用于对准直后的激光光束在弧矢方向扩束，得到预设光场能量分布的激光光束；其中，所述微透镜阵列中各柱镜子单元的面型参数基于所述预设光场能量分布和光学仿真软件优化得到。本发明能够实现边缘能量高于中心能量的光场能量分布，提高脉冲激光发射光束系统用于周视激光探测系统的效果，并能够实现各类特殊光场能量分布的定制，适用性广泛。
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公开(公告)号：CN116683279A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310637262.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 程义涛 , 王英顺 , 刘牧荑 , 封嘉纯 , 车相辉 , 武艳青 , 吴昊伦 , 崔璐 , 张厚博 , 李松松 , 沈牧 , 王媛媛 , 马汉超 , 冯晨阳 , 张晓松 , 张港 , 房玉锁 , 王晓燕 , 孙奕涛 , 孙芮 , 崔绍辉 , 申正坤 , 庞帅 , 李晓红 , 王龙梅 , 王立斌 , 王亚楠 , 王雪飞 , 牛丽媛
IPC: H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/02251 , H01S5/02355
Abstract: 本发明提供了一种多波长半导体激光器耦合封装结构及封装方法，属于光电技术领域，包括：管壳、制冷片、陶瓷片和支光纤。管壳用于封装制冷片、焊有芯片的梯形ALN陶瓷片，并为各个芯片提供管脚。制冷片固设于管壳的底面上，陶瓷片固设于制冷片上，陶瓷片上设置有多个安装台阶，多个芯片一一对应的贴装于不同的安装台阶上；一一对应连接各芯片的支光纤，多根支光纤融合为一根耦合光纤，从管壳引出。本发明提供的多波长半导体激光器耦合封装结构，将多个波长不同的芯片封装在同一个管壳内，并将连接各芯片的支光纤融合为一根耦合光纤，实现了封装期间的小型化，节约了整机空间，可实现整机的小型化。
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公开(公告)号：CN114594563A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210033618.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B7/02
Abstract: 本发明提供了一种微透镜调试装置，包括调节支架、多个弹性夹持体和多个调节丝；调节支架用于与微调设备的调节端连接，并具有相对设置的第一连接部和第二连接部；多个弹性夹持体分别连接于第一连接部和第二连接部，第一连接部与对应的弹性夹持体之间形成第一固定空间，第二连接部与对应的弹性夹持体之间形成第二固定空间；多个调节丝分别置于第一固定空间和第二固定空间之内，调节丝具有伸出第一固定空间或第二固定空间的伸出端，伸出端用于与微透镜的指定点位粘接。本发明不需要对微透镜进行夹持也能实现装置整体与微透镜的有效连接，有效缩小了微透镜调试装置连接端的体积，使装置整体结构更加紧凑，能够适应微透镜的调试固定需求。
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公开(公告)号：CN112821191A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011636903.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明适用于激光雷达技术领域，提供了一种半导体激光器驱动电路、多线激光器及多线激光雷达，该半导体激光器驱动电路包括：至少两个充电单元和至少一个放电单元；至少两个充电单元中每个充电单元的输入端用于连接电源，至少两个充电单元中每个充电单元的输出端连接后与至少一个放电单元连接；至少两个充电单元用于按照预设频率为至少一个放电单元充电，以使至少一个放电单元的放电频率满足要求。本发明通过至少两个充电单元按照预设频率为至少一个放电单元充电，可以缩短至少一个放电单元多次充电的时间间隔，使至少一个放电单元的放电频率满足高重频的要求，进而使基于本发明的多线激光器可以满足激光雷达系统的探测精度要求。
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公开(公告)号：CN109546532A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811571825.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种大视场多线集成激光收发结构，涉及光电技术领域，包括激光发射部，激光发射部包括激光发射板、多路激光器芯片、驱动电路，激光器芯片均分为三组且每组内的激光器芯片并排设置，三组激光器芯片呈折线形式布置，每个激光器芯片对应设有预准直微透镜；发射透镜，设于激光器芯片的发射路径上；接收透镜，设于激光的回波路径上且配套设有滤光片；激光接收部，包括三组探测器板、信号放大电路、探测器芯片，三组探测器板呈与三组激光芯片布设形式一致的折线形式；载体，用于承载激光发射部、发射透镜、接收透镜、激光接收部。旨在降低边缘像差，解决光电探测器封装工艺问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106229808B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201610833991.0
申请日：2016-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括绝缘衬底层，所述绝缘衬底层上设有金属层，所述金属层上设有光源，所述光源设有四个以上，所有的光源呈一行排列，所述光源被分为两组以上，每组光源中设有两个以上的光源，其中两组光源中相邻的两个光源之间的距离D1大于每组光源中光源之间的距离D2。所述激光器减少了中间区域光强值，增加边缘区域光强值，因此提高了光场均匀性，可获得最佳带内均匀性。
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公开(公告)号：CN114121920A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111308378.4
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构及大功率窄脉冲半导体激光器，属于光电技术领域，包括：MOSFET芯片以及多个功能芯片，MOSFET芯片具有源极、漏极和栅极；多个功能芯片沿MOSFET芯片的高度方向堆叠于所述MOSFET芯片上，且最底层的功能芯片与MOSFET芯片的源极连接。本发明提供的大功率窄脉冲半导体激光器，采用芯片堆叠集成设计，突破电路二维布局和分立器件封装的限制，将电路所用所有电子元器件采用对应芯片元件，采用一定工艺方法将所有芯片沿高度方向集成，将激光器的电路布局和电连接距离降到最低，极大缩小了电路的寄生参数，提高大功率窄脉冲半导体激光器技术指标。
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公开(公告)号：CN114112942A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111554268.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明适用于光纤技术领域，提供了一种光纤切角方向对准设备及对准方法，上述设备包括：光源、光谱仪、环形器、光纤旋转夹持器及部分反射镜；环形器的第一端口与光源连接，环形器的第二端口用于与待测光纤的第一端连接，环形器的第三端口与光谱仪连接；光纤旋转夹持器用于固定待测光纤，且光纤旋转夹持器能够绕轴线转动；部分反射镜与光纤旋转夹持器的轴线之间的夹角为预设角度。本发明中当待测光纤的切面与部分反射镜平行时，光的干涉最强，光谱仪上呈现的波形的峰谷最大，由此可通过光纤旋转夹持器带动待测光纤沿轴线旋转，观察光谱仪上的波形确定光纤切角是否满足需求，设备简单易操作。
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公开(公告)号：CN107706734A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710953567.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S3/23
Abstract: 本发明适用于光电技术领域，提供一种密集排列脉冲激光器，包括PCB电路板以及设在所述PCB电路板上的激光器阵列，所述激光器阵列包括多个激光器单元，每一个激光器单元包括一个正负极焊盘、一个激光器芯和一个陶瓷载体，正负极焊盘包括正极电极焊盘和负极电极焊盘，正极电极焊盘和负极电极焊盘均设置在所述PCB电路板上，激光器芯片设置在陶瓷载体上，陶瓷载体上设有与激光器芯片连接的正极电极和负极电极，正极电极与正极电极焊盘连接，负极电极与负极电极焊盘连接。由于将激光器芯片设置在陶瓷载体上，增大了脉冲激光器的激光器阵列的排列密度，使得脉冲激光器能够达到精细的探测效果和较高的分辨率。
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公开(公告)号：CN106229808A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610833991.0
申请日：2016-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01S3/23 , H01S5/4025
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括绝缘衬底层，所述绝缘衬底层上设有金属层，所述金属层上设有光源，所述光源设有四个以上，所有的光源呈一行排列，所述光源被分为两组以上，每组光源中设有两个以上的光源，其中两组光源中相邻的两个光源之间的距离D1大于每组光源中光源之间的距离D2。所述激光器减少了中间区域光强值，增加边缘区域光强值，因此提高了光场均匀性，可获得最佳带内均匀性。
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