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公开(公告)号：CN116683279A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310637262.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 程义涛 , 王英顺 , 刘牧荑 , 封嘉纯 , 车相辉 , 武艳青 , 吴昊伦 , 崔璐 , 张厚博 , 李松松 , 沈牧 , 王媛媛 , 马汉超 , 冯晨阳 , 张晓松 , 张港 , 房玉锁 , 王晓燕 , 孙奕涛 , 孙芮 , 崔绍辉 , 申正坤 , 庞帅 , 李晓红 , 王龙梅 , 王立斌 , 王亚楠 , 王雪飞 , 牛丽媛
IPC: H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/02251 , H01S5/02355
Abstract: 本发明提供了一种多波长半导体激光器耦合封装结构及封装方法，属于光电技术领域，包括：管壳、制冷片、陶瓷片和支光纤。管壳用于封装制冷片、焊有芯片的梯形ALN陶瓷片，并为各个芯片提供管脚。制冷片固设于管壳的底面上，陶瓷片固设于制冷片上，陶瓷片上设置有多个安装台阶，多个芯片一一对应的贴装于不同的安装台阶上；一一对应连接各芯片的支光纤，多根支光纤融合为一根耦合光纤，从管壳引出。本发明提供的多波长半导体激光器耦合封装结构，将多个波长不同的芯片封装在同一个管壳内，并将连接各芯片的支光纤融合为一根耦合光纤，实现了封装期间的小型化，节约了整机空间，可实现整机的小型化。
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公开(公告)号：CN116317209A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310174505.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 马汉超 , 王媛媛 , 孙芮 , 冯晨阳 , 孙奕涛 , 房玉锁 , 周彪 , 崔绍晖 , 沈牧 , 李松松 , 李晓红 , 张港 , 张厚博 , 崔璐 , 申正坤 , 王凯 , 牛红伟 , 杨强
Abstract: 本申请适用于激光充电技术领域，提供了一种基于VCSEL阵列激光器的无线充电系统。该无线充电系统包括：VCSEL阵列激光器、光电池接收模块和最大功率跟踪控制模块；VCSEL阵列激光器用于发射连续的激光；光电池接收模块用于接收激光，并将该激光转换为电能，以对待充电电子设备进行充电；最大功率跟踪控制模块连接光电池接收模块，用于根据光电池接收模块的输出参数调节光电池接收模块的工作状态，以使光电池接收模块以最大输出功率工作。本申请能够提高发射的激光光束的质量和光电转换效率，进而提高无线充电系统的整体效率。
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公开(公告)号：CN118040924A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410098656.5
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于VCSEL激光器的无人机无线传能系统，涉及光电技术领域。本发明使用VCSEL相控阵列激光器代替传统的边发射半导体激光器和1064nm光纤激光器，使发射端光束质量优化，提高光电转化效率，且相控阵技术可以控制阵列激光光束在空间上发生偏转，实现对光束的操控，始终保证激光能够准确瞄准到光电池接收系统，有利于长距离无人机激光无线充电。本发明使用最大功率跟踪控制电路系统实现最大功率点工作，从而最大化利用光电池的功率，提高系统的发电效率。
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公开(公告)号：CN114674533A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210148210.X
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器单发光点性能测试系统，属于激光器测试设备技术领域，包括位移平台、聚焦耦合结构、光纤接收器以及性能测试器，位移平台上设有与半导体激光器相对应的狭缝，狭缝用于半导体激光器上的单个发光点的光束穿过，聚焦耦合结构与狭缝相对应，用于对光束进行准直且压缩，光纤接收器设于聚焦耦合结构的焦点处，用于接收聚焦压缩后的光束，光纤接收器的光纤芯径尺寸大于经过压缩后的光束的光斑尺寸，性能测试器与光纤接收器相连接，用于测量和分析光束的性能指标。本发明提供的半导体激光器单发光点性能测试系统，各发光点的光束可以独立进行测试，提高了该测试系统的准确度。
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公开(公告)号：CN117220120A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310994901.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S3/04 , H01S3/042 , H01S3/0941
Abstract: 本申请适用于固体激光发射模块技术领域，提供了微固态激光发射装置，该装置包括：激光二极管、准直聚焦系统、键合晶体、热沉和半导体制冷器；激光二极管、准直聚焦系统、键合晶体固定于热沉的上方，热沉固定于半导体制冷器上方；激光二极管用于产生高能脉冲激光；准直聚焦系统用于对高能脉冲激光进行调制，得到调制光；键合晶体用于将调制光转换为信号光，并输出信号光；热沉用于吸收激光二极管、准直聚焦系统和键合晶体工作时产生的热量；半导体制冷器用于为热沉散热。本申请可以实现激光发射装置温度的恒定，进而提升装置的转换效率和工作稳定性。
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公开(公告)号：CN116520507A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310192898.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请适用于光学耦合技术领域，提供了一种无接触式位移控制系统及位移控制方法。该系统包括：位移平台、光谱仪和控制装置，该系统应用于对待光学耦合的光源发射端和光纤的第一端口的位移控制，其中，位移平台用于固定光纤的第一端口，光谱仪用于连接光纤的第二端口，控制装置分别与光谱仪和位移平台连接；光源发射端和光纤的第一端口形成光学腔，光谱仪基于接收到光源发射端发出的光信号，检测并向控制装置发送光学腔的纵模间距，控制装置基于纵模间距控制位移平台驱动光纤的第一端口移动，调整光纤的第一端口到光源发射端的距离。本申请能够在对微米级位移变化的精确控制的同时，保证接触测量表面不会被损伤或污染。
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