公开(公告)号：CN114121920A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111308378.4

申请日：2021-11-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 崔璐 ,  王晓燕 ,  张厚博 ,  杨红伟 ,  李晓红 ,  王媛媛 ,  王英顺 ,  程义涛 ,  车相辉 ,  沈牧 ,  房玉锁 ,  赵欣 ,  郭君

IPC: H01L25/16 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构及大功率窄脉冲半导体激光器，属于光电技术领域，包括：MOSFET芯片以及多个功能芯片，MOSFET芯片具有源极、漏极和栅极；多个功能芯片沿MOSFET芯片的高度方向堆叠于所述MOSFET芯片上，且最底层的功能芯片与MOSFET芯片的源极连接。本发明提供的大功率窄脉冲半导体激光器，采用芯片堆叠集成设计，突破电路二维布局和分立器件封装的限制，将电路所用所有电子元器件采用对应芯片元件，采用一定工艺方法将所有芯片沿高度方向集成，将激光器的电路布局和电连接距离降到最低，极大缩小了电路的寄生参数，提高大功率窄脉冲半导体激光器技术指标。