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公开(公告)号：CN112097949A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010797316.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种光热反射测温方法及装置，所述方法包括：控制被测件处于预设初始温度，采集被测件此时的反射率，得到第一反射率；控制被测件的温度升高ΔT0，在被测件温度改变的同时向被测件通入电流，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第二反射率；控制通电被测件的温度降低ΔT0，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第三反射率；基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量，节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN110310312A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910615299.4
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/33
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，基于互相关度，得到选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移量和零平移点的平移量的差值与预设平移量进行比较，对本次平移图样进行不同的操作更新，获得下一次平移图样，并基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN108364883A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810168891.X
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种验证热反射测温设备准确性的装置、制备方法及验证方法，该装置包括：衬底；所述衬底的上表面覆盖绝缘层；所述绝缘层的上表面设有图形结构，所述图形结构包括金属电阻和两个金属焊盘，其中一个所述金属焊盘与所述金属电阻的一端相连，另一个所述金属焊盘与所述金属电阻的另一端相连。本发明通过成熟的半导体工艺制备验证热反射测温设备准确性的装置，并基于该装置配合使用温控平台实现验证热反射测温设备的准确性。该装置制备方法简单，验证结果准确，并且能够准确的反应热反射测温设备高空间分辨力下的准确性。
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公开(公告)号：CN108051456A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711203341.9
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种X‑CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台固定连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，设置在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X‑CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。
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公开(公告)号：CN106526322A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610956483.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/025
Abstract: 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪器与探针一组连接或与探针二组连接。其溯源方法为，高值电阻测量仪器通过线缆与探针一组连接，标准高值电阻通过线缆与探针二组连接；在片直通对接线连接探针一组和探针二组。本发明的测量系统能够提供可溯源的在片高值电阻参数测试数据，使得在片高值电阻测试数据的准确性可验证，不同系统的测试数据之间可比较。其溯源方法可以实现参数溯源并提供关于测试数据的不确定度信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104713651A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510100045.0
申请日：2015-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种高空间分辨力及高时间分辨力的红外热成像测温方法，涉及半导体器件温度测试领域；（a）通过调整瞬态红外设备的聚焦区域，用瞬态红外设备测量被测件两个温度明显不同区域的温度，得到两条温度随时间变化的曲线；（b）分析两条温度变化曲线，判断被测件进入准稳态的时间点；（c）用瞬态红外设备测量目标区域的温度，得到目标区域的温度变化曲线；（d）用显微红外热像仪测量目标区域的温度，得到目标区域的温度分布图像；（e）得到目标区域任意时刻，任意位置的准确温度值。（f）得到任意时间点整个区域的温度分布图像，也可以得到任意位置整个时间区域内的温度变化曲线。本发明能满足高时间分辨力和高空间分辨力的温度检测。
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公开(公告)号：CN113866511B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110989553.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片电容测量系统和测量方法。其中。在片电容测量系统包括：电容测试设备；探针测试系统，包括探针座，对称分布在探针座两侧的第一组探针和第二组探针，以及设置在探针座上的第一组连接线和第二组连接线，第一组连接线与第一组探针连接，第二组连接线与第二组探针连接；标准电容、开路器和在片直通线，用于与电容测试设备和探针测试系统连接；通过电容测试设备、探针测试系统、标准电容、开路器和在片直通线测试待测在片电容的电容值。本发明提供的在片电容测量系统，可实现待测在片电容参数到标准电容的溯源，从而保证待测在片电容的测量结果与现有溯源体系下的标准电容结果之间的可比性，从而实现在片电容的准确测量。
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公开(公告)号：CN112820714B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011578776.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级电容标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述晶圆级电容标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组量级不同的标称电容系列和分别与每组所述标称电容系列一一对应的开路器，所述标称电容系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电容；所述标称电容系列的容值范围为：0.5pF‑100pF。本发明所述晶圆级电容标准样片，用于PCM设备在片电容参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备高频小电容测量数据的准确、统一，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN113932925A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111022849.5
申请日：2021-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明提供一种可见光热反射测温时的波长选择方法及终端。该方法包括：在预设波长范围内一波长的光源照射下，向被测件施加预设脉冲调制信号；经过第一预设时间间隔后，分别获得被测件在预设脉冲调制信号的高电平时的第一反射率和低电平时的第二反射率；在预设波长范围内多次改变光源的波长，获得每个波长对应的高电平时的第一反射率和低电平时的第二反射率；根据预设波长范围内各个波长对应的第一反射率和第二反射率，选择被测件测温时的波长。本发明能够降低可见光热反射测温时的波长选择方法的耗时，提高可见光热反射测温时的波长选择方法的效率，同时提高可见光热反射测温时的波长选择的准确性。
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公开(公告)号：CN110322487B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910615311.1
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设比例系数的缩小更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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