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公开(公告)号：CN110048027A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910012458.1
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L51/56 , H01L51/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , B41J11/00
Abstract: 本发明提供在对基板上的有机材料膜进行干燥处理时尽量地降低混入到处理容器内的水分的影响的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置(100)包括能够抽成真空的处理容器(1)和用于在处理容器(1)内支承基板(S)的作为基板支承部的基板支承部(3)，在干燥处理期间，在处理容器(1)内的压力为大气压～500Pa的范围内，将基板(S)保持在第1高度位置，在处理容器(1)内的压力为3Pa以下时，使基板(S)下降到比第1高度位置低的第2高度位置。通过在将基板(S)保持在第1高度位置的状态下进行减压排气，能够使处理容器(1)内的水分自底壁(11)的排气口(11a)快速地排出。
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公开(公告)号：CN109671647A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811202183.X
申请日：2018-10-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质。向工件排出功能液的液滴(D)以进行描绘的液滴排出装置包括：向工件排出液滴(D)的液滴排出头；载置介质(51)，其作为承接来自液滴排出头的检查排出物的检查用载置媒介；罩体(34)，其设有覆盖为检查而排出到载置介质(51)的液滴(D)的检查用盖也即盖(32)；和摄像机(31)，其为透过盖(32)来拍摄为检查而排出到载置介质(51)的液滴(D)的拍摄部。本发明能够抑制为检查而排出到检查用载置媒介的液滴干燥，恰当地进行液滴检查。
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公开(公告)号：CN106972114B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610849761.3
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供在对基板上的有机材料膜进行干燥处理时尽量地降低混入到处理容器内的水分的影响的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置（100）包括能够抽成真空的处理容器（1）和用于在处理容器（1）内支承基板（S）的作为基板支承部的基板支承部（3），在干燥处理期间，在处理容器（1）内的压力为大气压～500Pa的范围内，将基板（S）保持在第1高度位置，在处理容器（1）内的压力为3Pa以下时，使基板（S）下降到比第1高度位置低的第2高度位置。通过在将基板（S）保持在第1高度位置的状态下进行减压排气，能够使处理容器（1）内的水分自底壁（11）的排气口（11a）快速地排出。
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公开(公告)号：CN106206378A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610591115.1
申请日：2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0026 , H01L21/67161 , H01L21/67748 , H01L21/68742
Abstract: 本发明公开了一种减压干燥装置，其对利用喷墨打印装置形成于基板上的有机材料膜进行减压干燥处理，该减压干燥装置具有：耐压容器，其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换；冷却板，其对容纳于上述耐压容器的内部的上述基板进行冷却；以及多个可动销，其以能够相对于上述冷却板的表面突出或没入的方式设置，用于在冷却上述基板的期间以上述基板与上述冷却板的表面分开的状态支承上述基板。
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公开(公告)号：CN102644051A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035752.2
申请日：2012-02-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101321572B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200780000518.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D46/521 , B01D46/0023
Abstract: 本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN101103262B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200680001995.7
申请日：2006-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N30/06 , G01N2030/062 , G01N2030/128
Abstract: 本发明涉及测定有机物气体浓度的测定装置(2)，从处理系统内的目标空间引出目标氛围气体，测定其中有机物气体的浓度。装置(2)包括具有与目标空间连接的导入口的捕集容器(20)。排气系统(36)与捕集容器(20)连接。在捕集容器(20)内，收容有用于通过吸附有机物气体得到捕集有机物气体的捕集部件(22)。利用包括加热器(24)的温度调整机构，调整捕集部件(22)的温度，控制有机物气体的吸附/解吸。从载气供给系统(32)供给用于搬送从捕集有机物气体中取出的解吸气体的载气。利用浓度测定部(56)测定搬送解吸气体的载气中的有机物气体的浓度。
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公开(公告)号：CN101471242A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810189121.X
申请日：2008-12-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹着形成于第一层的膜上的掩模图案的掩模部分的宽度方向中央部的位置对应的区域相对的方式形成的两个掩模部分之间，使在这些掩模部分的侧壁上末端扩宽的堆积部分残留下来，并且使第三层的膜的表面从这些堆积部分之间露出，并且使在上述两个掩模图案以外的互相邻接的掩模部分之间连续的堆积部分残留下来之后，除去上述掩模。然后，以上述堆积部分作为掩模利用等离子体对上述下层的膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101421828A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012931.1
申请日：2007-10-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/32862 , H01L21/02071 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。
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公开(公告)号：CN101310041A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000117.8
申请日：2007-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4408 , C23C16/54 , H01L21/02041 , H01L21/67196 , H01L21/67288 , Y10S414/139
Abstract: 本发明涉及真空处理装置和真空处理方法。排气机构(24)以一定的排气量或排气速度对真空搬送室(10)内进行真空排气。平常时间排气阀(36)被保持为打开状态，吹扫气体(N2气)由吹扫气体供给源(30)通过MFC(34)和开关阀(36)供给真空搬送室(10)内。主控制部(38)通过对MFC(34)的流量设定值将真空搬送室(10)内的压力控制在规定的范围内，同时通过真空计(40)监控真空搬送室(10)内的压力，压力超过规定的上限值时判断为异常，采取对MFC34的流量设定值的更改、警报的产生、装置运转的停止等处置。
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