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公开(公告)号：CN110491770B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN110265325A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910477249.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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公开(公告)号：CN110060924A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104425318B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410431101.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够提高生产率的基板处理方法和基板处理装置。一技术方案的基板处理方法包括以下工序：处理液供给工序，在该处理液供给工序中，对进行了在处理后需要气氛管理或时间管理的前处理的基板供给含有挥发成分的、用于在基板上形成膜的处理液；以及收纳工序，在该收纳工序中，将因上述挥发成分挥发而使上述处理液固化或硬化后的基板收纳于输送容器。
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公开(公告)号：CN106847729A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610862566.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100479107C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580007876.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05B7/04 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B01F3/04049 , B05B7/0433 , B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的目的在于，在内部混合气体和液体并将液滴与气体一起喷射而清洗基板的基板清洗用双流体喷嘴中，使液滴的粒径和速度均匀化。在基板清洗用双流体喷嘴中，具有：供给气体的气体供给通路、供给液体的液体供给通路、和将内部形成的液滴导出的导出通路，在上述导出通路的末端形成有用于向外部喷射液滴的喷射口，上述喷射口的截面积Sb形成得比上述导出通路的截面积Sa小，并且，上述气体供给通路的出口的截面积Sc形成得比上述导出通路的截面积Sa小。
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公开(公告)号：CN119318003A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044308.3
申请日：2023-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3063 , C25F3/02 , C25F3/04 , C25F3/06 , C25F3/08 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基片处理装置用处理液去除基片的去除对象。基片处理装置包括：用于保持基片的保持部；向由保持部保持的基片供给处理液的液供给部；与由保持部保持的基片非接触地配置的电极，该电极与从液供给部供给的处理液接触；向电极施加电压的电源；和控制液供给部和电源的控制部。控制部形成电极及基片与从液供给部供给的处理液接触的状态而对电极施加电压，由此在处理液中生成OH自由基，并将OH自由基赋予去除对象。
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公开(公告)号：CN117497448A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310888429.8
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置、供给系统、基板处理方法以及供给方法，回收高纯度的冲洗液或干燥液。本公开的基板处理装置具备保持部、处理杯、第一供给部、第二供给部、排放部以及第一测定部。保持部用于保持基板。处理杯设置于保持部的周围。第一供给部用于向保持于保持部的基板供给药液。第二供给部用于向保持于保持部的基板供给冲洗液或干燥液。排放部设置于处理杯的底部，经由线路切换部来与排放线路及回收线路连接。第一测定部设置于排放部，测定冲洗液或干燥液的纯度。
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公开(公告)号：CN110060924B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN110265325B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910477249.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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