基板载置台及其制造方法、基板处理装置、流体供给机构

    公开(公告)号:CN101207061B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200710154402.7

    申请日:2007-09-11

    Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣,而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成,其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521),并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。

    粉末供给装置、喷镀装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116288130A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310440218.8

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 本发明提供一种粉末供给装置及喷镀装置。该粉末供给装置用于自送料器向喷嘴供给粉末,该粉末供给装置包括:盒部,其具有:口部,其用于放入、取出粉末;以及开闭阀,其用于开闭上述口部,并且该盒部在气密状态下收纳上述粉末;补给器,其具有:容纳部,其用于可装卸地容纳上述盒部;补给口,其用于将容纳于上述容纳部的上述盒部内的上述粉末补给至上述送料器;以及开闭阀,其用于开闭上述补给口;以及送料器,其用于将自上述补给口补给的上述粉末投入上述喷嘴,上述盒部以及上述补给器通过在上述补给器中容纳上述盒部,从而在上述口部与上述补给口之间形成密闭空间。

    粉末供给装置、喷镀装置、粉末供给方法以及喷镀方法

    公开(公告)号:CN112930416A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201980069561.8

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 本发明提供一种粉末供给装置,其用于自送料器向喷嘴供给粉末,该粉末供给装置包括:盒部,其具有:口部,其用于放入、取出粉末;以及开闭阀,其用于开闭上述口部,并且该盒部用于在气密状态下收纳上述粉末;以及送料器,其具有:连接部,其用于可装卸地连接上述盒部;补给口,其用于将与上述连接部连接的上述盒部内的上述粉末补给至上述送料器内;以及开闭阀,其用于开闭上述补给口,并且该送料器用于将自上述补给口补给的上述粉末投入上述喷嘴,上述盒部以及上述送料器通过上述盒部连接于上述连接部,从而在上述口部与上述补给口之间形成密闭空间。

    上部电极板以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN102738041A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210101424.8

    申请日:2012-03-31

    Inventor: 小林义之

    Abstract: 一种上部电极板以及基板处理装置,提供一种能够从开始产生等离子体起就使上部电极板的温度稳定,能够对多个晶圆实施均匀的蚀刻处理的上部电极板。在等离子体处理装置(10)中,隔着处理空间(S)与基板载置台(12)相向地配置的上部电极板(31)经由冷却板(32)与电极支承体(33)相抵接并被该电极支承体(33)支承,在与冷却板(32)相抵接的抵接面上形成传热薄片(38)。传热薄片(38)的热导率处于0.5~2.0W/m·k的范围,该传热薄片(38)的材料是在成分中包含硅的耐热性的粘合剂、橡胶,以及在粘合剂、橡胶中含有25%~60%体积的氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料,该传热薄片(38)的膜厚例如是30μm~80μm,以避开上部电极板(31)的各气孔(34)的附近的规定区域的方式涂布并形成该传热薄片(38)。

    环状部件及其制造方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101740297A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910207897.4

    申请日:2009-11-06

    Abstract: 本发明涉及环状部件及其制造方法,根据本发明的环状部件,能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片W实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置(10)中,该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室(17)的聚焦环(24),由在圆周方向上配设的4个单晶硅的圆弧状部件24a~24d构成,在各圆弧状部件24a~24d的上表面24a1~24d1、外侧面24a2~24d2,不出现易消耗的单晶硅的结晶面,例如密勒指数为{100}的结晶面。

    温度控制装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101295186A

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200810089941.1

    申请日:2008-04-11

    CPC classification number: G05D23/19

    Abstract: 一种温度控制装置,通过在配置于被控对象附近的调温部(11)使流体循环来预期地控制被控对象的温度,其包括:加热流体并使流体在调温部(11)循环的加热通路(40);冷却流体并使流体在调温部(11)循环的冷却通路(20);使流体在调温部(11)循环而不通过加热通路(40)及冷却通路(20)的旁通路(30);以及对来自加热通路(40)、冷却通路(20)、旁通路(30)通过对它们进行汇流的汇流部(12)向调温部(11)输出流体的流量比进行调节的调节装置(44,24,34)。调节装置(44,24,34)位于加热通路(40),冷却通路(20),旁通路(30)的各下游侧且设置在汇流部(12)的上游侧。

    基板载置台的制造方法
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101207062A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200710181964.0

    申请日:2007-10-17

    CPC classification number: H01L21/68757

    Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法,能够防止在流体通道内残留喷镀残渣,而且,能够防止发生喷镀残渣所导致的污染,以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法,在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着,供给压缩空气等的气体,一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体,一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10),从而形成3层的静电卡盘(11)。接着,向槽(512)内导入流体,例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等,进行膜(540)的除去和清洗,除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。

    基板载置台及其制造方法、基板处理装置、流体供给机构

    公开(公告)号:CN101207061A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200710154402.7

    申请日:2007-09-11

    Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣,而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成,其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521),并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。

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