公开(公告)号：CN101160014A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710182349.1

申请日：2003-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  岩田学 ,  舆水地盐 ,  樋口文彦 ,  清水昭贵 ,  山下朝夫 ,  岩间信浩 ,  东浦勉 ,  张东胜 ,  中谷理子 ,  村上范和

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

Abstract: 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。

公开(公告)号：CN119856259A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065155.0

申请日：2023-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井晃博 ,  后平拓 ,  中谷理子

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在本发明提供的方法的一个示例性实施方式中，该方法是对具备蚀刻对象膜及设置于蚀刻对象膜上且具有开口的掩模的基板进行处理的方法，该方法包含以下工序：(a)使用第1处理气体在与开口对应地形成于蚀刻对象膜上的凹部的侧壁形成包含氮原子及氢原子的第1层；(b)使用包含含磷气体的第2处理气体从第1层形成第2层；及(c)使用第3处理气体对凹部进行蚀刻。

公开(公告)号：CN108511339B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201810165922.6

申请日：2018-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供给来的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的、所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。

公开(公告)号：CN114093761A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110942114.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  后平拓 ,  宋孝锡 ,  田所昌洋 ,  沼田健太郎 ,  八重樫圭太

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至‑40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将上述层叠膜进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN108511389A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810167763.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  本田昌伸 ,  久松亨 ,  田端雅弘

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至-20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。

公开(公告)号：CN102473593B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080029631.6

申请日：2010-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  梅原康敏 ,  片冈勇树 ,  中谷理子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: A61K8/25 ,  A61K8/022 ,  A61K8/21 ,  A61K8/24 ,  A61K8/27 ,  A61Q11/00 ,  C03C3/062 ,  C03C3/097 ,  C03C3/112 ,  C03C4/0007 ,  C03C4/0021 ,  C03C4/0035 ,  C03C12/00 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67288

Abstract: 本发明提供一种高精度地对装置中产生的异常进行检测的异常检测系统。对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行检测的异常检测系统(100)具备：多个超声波传感器(41)，其检测由异常的产生所引起的AE；分配器(65)，其将超声波传感器(41)的各输出信号分别分配为第一信号和第二信号；触发器(52)，其例如以10kHz对第一信号进行采样，在检测出规定的特征时产生触发信号；触发产生时刻计数器(54)，其接收触发信号并决定触发产生时刻；数据记录器(55)，其例如以1MHz对第二信号进行采样来制作采样数据；以及PC(50)，其通过对采样数据中的与以由触发产生时刻计数器(54)决定的触发产生时刻为基准的固定期间相对应的数据进行波形分析，对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行分析。

公开(公告)号：CN100561679C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200710085802.7

申请日：2007-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  丸山幸儿

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明的目的在于，在以抗蚀剂作为掩模进行硅蚀刻时，确保蚀刻速率的面内均匀性，同时控制蚀刻形状。在喷头(20)的下面(20b)上设置有多个气体喷出孔(22)，在这些气体喷出孔(22)的周围，朝向相对配置的支撑工作台(2)突出设置有环状凸部(40)。另外，将气体喷出孔(22)集中设置在喷头(20)的下面(20b)的中央附近，使得全部气体喷出孔(22)都在面积比晶片(W)的面积小的区域(S)内。