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发明公开
基板处理方法及基板处理装置审中-实审

公开(公告)号：CN119856259A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065155.0

申请日：2023-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井晃博 , 后平拓 , 中谷理子

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在本发明提供的方法的一个示例性实施方式中，该方法是对具备蚀刻对象膜及设置于蚀刻对象膜上且具有开口的掩模的基板进行处理的方法，该方法包含以下工序：(a)使用第1处理气体在与开口对应地形成于蚀刻对象膜上的凹部的侧壁形成包含氮原子及氢原子的第1层；(b)使用包含含磷气体的第2处理气体从第1层形成第2层；及(c)使用第3处理气体对凹部进行蚀刻。

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