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公开(公告)号：CN117872073A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695083.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26 , G01R1/36 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统，系统采用集成化设计，将开关电路控制模块，开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护；实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能，避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验，提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率，同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂，工程实现容易，对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN114966252A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111505888.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统，所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块，所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试；所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接，上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态；所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电，所述电源模块采用TPS54310芯片，输入电压为5V，输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案，可以同时对两块DSP进行配置，提高了辐射实验的效率，并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114414322A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111504593.1
申请日：2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种浇注可逆元器件制样研磨方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将在80℃熔化成液体的石蜡引流致放置有样品的模具中；步骤2：将冷却固化的石蜡连同其中的样品从模具中取下，开展研磨、抛光，对抛光后的制样进行镜检、拍照；步骤3：采用对样品无损的方式将石蜡熔化成液态，从液状石蜡中取出完成镜检、拍照流程的样品，并对样品进行清洗。
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公开(公告)号：CN114408309A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118393245A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410348251.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。
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公开(公告)号：CN114966252B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111505888.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统，所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块，所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试；所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接，上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态；所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电，所述电源模块采用TPS54310芯片，输入电压为5V，输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案，可以同时对两块DSP进行配置，提高了辐射实验的效率，并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。
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公开(公告)号：CN114414972B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118052129A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311775620.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/27 , G06N3/0442 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种IGBT寿命预测方法，基于二次分解的数据降噪方案，利用完全集合经验模态分解(CEEMDAN)以及变分模态分解(VMD)进行数据降噪处理，具体包括如下步骤：S1、获取IGBT器件的历史退化失效特征数据，提取特征参数，划分训练集和测试集。S2、使用CEEMDAN算法将历史退化数据的训练集分解为具有不同中心频率的几个模态分量(IMF)。S3、计算各IMF的排列熵(PE)值，筛选出PE值较大的IMF。S4、对PE值较大的IMF进行VMD二次分解，分解时优化参数K和α。S5、将IMF输入GRU神经网络模型，优化模型参数，进行预测。
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公开(公告)号：CN116659810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310530699.1
申请日：2023-05-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M11/00 , G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种脉宽调制器中子单粒子效应辐照测试系统，包括辐照测试板、直流稳压电源、电子负载、测控模块、显示模块，所述辐照测试系统置于脉冲反应堆中进行在线辐照测试；所述辐照测试板置于辐照室内；直流稳压电源、电子负载、测控模块、显示模块置于测试间；直流稳压电源通过供电线缆为辐照测试板提供直流供电；电子负载连接辐照测试板的输出端；测控模块读取辐照测试板上监测的信号，并通过显示模块进行显示。本发明能够满足脉宽调制器的脉冲反应堆中子在线辐照试验，以及中子单粒子效应测试和表征，获得脉宽调制器的单粒子效应现象及规律，实现对脉宽调制器抗中子单粒子能力的准确评估，指导器件的抗辐射加固设计与宇航可靠性应用。
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