-
公开(公告)号：CN106644111A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610972829.7
申请日：2016-11-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天探维传媒科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种真空测温装置，包括温度传感器、数据采集装置和数据处理装置；所述温度传感器为铂薄膜热敏电阻。本发明提供的真空测温装置灵敏度高、工作温度范围宽、使用方便且稳定性好，在真空元件的测温领域取得了良好的效果。
-
公开(公告)号：CN118393245A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410348251.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。
-
公开(公告)号：CN114414972B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN118052129A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311775620.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/27 , G06N3/0442 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种IGBT寿命预测方法，基于二次分解的数据降噪方案，利用完全集合经验模态分解(CEEMDAN)以及变分模态分解(VMD)进行数据降噪处理，具体包括如下步骤：S1、获取IGBT器件的历史退化失效特征数据，提取特征参数，划分训练集和测试集。S2、使用CEEMDAN算法将历史退化数据的训练集分解为具有不同中心频率的几个模态分量(IMF)。S3、计算各IMF的排列熵(PE)值，筛选出PE值较大的IMF。S4、对PE值较大的IMF进行VMD二次分解，分解时优化参数K和α。S5、将IMF输入GRU神经网络模型，优化模型参数，进行预测。
-
公开(公告)号：CN115598483A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211113580.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所(CN)
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法，其特征在于，包括：S1：在PCB覆铜板上制备Pt薄膜电阻温度传感器；S2：确定该Pt薄膜电阻温度传感器电阻和温度的换算M系数；S3：制备芯片底部有Pt薄膜电阻温度传感器的功率二极管；S6：将功率二极管接入老化电路，实时监测Pt薄膜电阻温度传感器电阻，通过Pt薄膜电阻温度传感器监测加电状态下的二极管结温。本发明相比于只能测试器件表面温度的热电偶法，测温的可重复性和均一性更好；相比于红外法，不需要考虑表面封装材料发射率的影响，测试的芯片结温更准确；相比于热阻测试法，在二极管加电测试过程中无需进行热阻测试，就可解决传统测试无法实时监测二极管结温的不足。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111474465B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
-
公开(公告)号：CN111273164B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
-
公开(公告)号：CN113961243A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111037489.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F8/76
Abstract: 本发明公开了下位机FPGA软件通用框架，包括：通讯模块、执行模块；通讯模块向上经通讯接口芯片与上位机通讯，向下与软件内部的用于控制执行部件的执行模块通讯，进而控制各执行部件；通讯模块与通讯接口芯片的交互协议是底层协议，底层协议由通讯接口芯片与FPGA的交互时序决定；通讯模块与执行模块的交互协议属于顶层协议；上位机经过通讯接口芯片向FPGA发送的指令数据包由通讯模块解析，解析后的指令分发到相应执行模块执行，通讯模块从执行模块获得指令执行结果，由通讯模块组建回复数据包后通过通讯接口芯片向上位机的指令进行回复，每一条指令都对应一条回复。采用本发明使FPGA软件的具有统一的架构，增强了软件的可移植性，加速了研发。
-
-
公开(公告)号：CN111090039A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911081430.X
申请日：2019-11-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/3185
Abstract: 本发明实施例提供了一种FPGA功能测试装置，其特征在于，包括上位机和FPGA功能测试板；其中，上位机运行有上位机软件，用于配置FPGA，显示自测试结果；上位机上存储有用于FPGA功能测试的自测试程序；FPGA功能测试板上设置有接口芯片与待测的FPGA，所述接口芯片分别与上位机和待测的FPGA连接，用于接收由上位机传送的自测试程序，并将自测试程序配置至待测FPGA上，开启测试，并将FPGA的测试结果回传至上位机软件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
60
records
(took 0.047 seconds)
