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公开(公告)号：CN1940688A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139957.X
申请日：2006-09-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/1341 , G02F1/1345 , G02F1/136213 , G02F2201/121 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止由于层间绝缘膜的针孔或缺陷而引起的电极间的短路不良、并具有高可靠性的液晶显示装置。本发明的一个实施形态的液晶显示装置具有TFT阵列基板(101)、对置配置在TFT阵列基板(101)上的滤色器基板(102)、和粘合两基板的密封图形(40)，滤色器基板(102)具有对置电极(42)，TFT阵列基板(101)具有栅极布线(4)、在栅极布线(4)上形成的栅极绝缘膜(6)、通过栅极布线(4)和栅极绝缘膜(6)交叉配置的源极布线(11)、在源极布线(11)上形成为两层的层间绝缘膜(14、18)、和在密封图形(40)的下面设置的、通过该密封图形(40)与对置电极(42)导通的共同电极布线(37)，密封图形(40)通过层间绝缘膜(14、18)和源极布线(11)重叠。
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公开(公告)号：CN1869795A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610067375.5
申请日：2006-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371 , G02F1/136227
Abstract: 提供一种能够不降低反射率、不增加步骤数、以较低成本、并且抑制电池腐蚀的产生而以较高的成品率制造出来的不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。以相同的掩模图形对反射像素电极(11)(第3金属膜)和其上层的第2透明导电膜(12)进行构图，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理。将第2透明导电膜(12)的膜厚制作成大于等于5nm而小于等于15nm，由此，可防止显影液对反射像素电极的侵蚀，防止基底的像素电极发生电池反应所引起的腐蚀，以高成品率进行制造。并且，可减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差，无需增加步骤数并以较低成本即可制造出不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN1727977A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510089557.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133555 , G02F2001/136236 , H01L21/32139 , H01L27/124
Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时，通过改变仅一部分区域的曝光量，形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后，与通常相同地形成图案。此后，完全去除该区域的抗蚀剂，仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔，通过该接触孔使得与象素电极电连接，其中，该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN104102059A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410131136.6
申请日：2014-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。
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公开(公告)号：CN101611345B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880004975.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1345 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136295 , G02F2201/40 , G02F2202/06 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100421014C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200410084170.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。
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公开(公告)号：CN101097927A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710109700.4
申请日：2007-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。
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公开(公告)号：CN1912738A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610107794.7
申请日：2006-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供即使在使用具有氧化铬膜的遮光膜时也具有良好蚀刻剖面的带遮光膜基板、彩色滤光片基板及显示装置以及它们的制造方法。本发明一实施方式涉及的带遮光膜基板是具有在基板1上形成的遮光膜10图案的带遮光膜基板，遮光膜10具备含有铬氧化物的第1膜2和含有铬的设置于第1膜2上的第2膜3，遮光膜10的剖面形状具有正锥形。遮光膜10的蚀刻可以使用在硝酸铈铵中至少含有硝酸2.5摩尔/升以上浓度的药液来进行。
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公开(公告)号：CN1869796A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610068241.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133555 , G02F1/13439 , H01L27/14621
Abstract: 本发明的目的在于：提供一种液晶显示装置，即使使用预定的蚀刻剂，按预定的形状图形化非晶质的导电性膜，形成保护绝缘膜使之覆盖该图形化了的导电性膜，也能够防止该保护绝缘膜的异常生长。本发明的一个例子的液晶显示装置，在上面形成有薄膜晶体管的玻璃基板1与在上面形成有对置电极的滤色基板16之间，密封液晶。而且，像素电极10与薄膜晶体管的漏电极连接。此外，通过具有透明性的保护绝缘膜13覆盖像素电极10。该像素电极10具有包含In与Zn的氧化化合物。
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公开(公告)号：CN1609689A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410084170.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/00
Abstract: 提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。
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