薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN102540605B

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201210007092.7

    申请日:2010-01-22

    Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。

    薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN101788738B

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201010109263.8

    申请日:2010-01-22

    Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。

    薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN102540605A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210007092.7

    申请日:2010-01-22

    Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。

    液晶显示装置及液晶显示装置的检查方法

    公开(公告)号:CN1713032A

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN200510056271.X

    申请日:2005-04-04

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种采用既不延长引线又不使与引线连接的电极部分露出的结构,并且在分析故障时可以检查驱动器LSI的输出信号的液晶显示装置及液晶显示装置的检查方法。本发明的解决手段包括:利用相互对置的2块绝缘衬底(电极衬底(1)和对置衬底(2))将液晶层夹在中间,并形成多个显示元件的显示部;至少形成在1块绝缘衬底上并向多个显示元件供给信号的引线3a;设在绝缘衬底的边缘部并通过与引线3a、3b的端子连接来驱动多个显示元件的驱动器LSI6;在位于绝缘衬底的周边部的引线3a上经第1绝缘层形成的导电膜图形部。

    薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN101788738A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010109263.8

    申请日:2010-01-22

    Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。

    半透射型液晶显示装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1881014A

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN200610059473.4

    申请日:2006-03-13

    CPC classification number: G02F1/133553 G02F1/136213 G02F2203/09

    Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置,在规定的位置备有反射对比度降低防止电极的半透射型液晶显示装置中,可维持防止反射对比度降低,并且能够防止亮点缺陷。在与源极配线(3)同一层内的像素区域的反射区域(S)上,备有与源极配线(3)仅隔开规定区域形成的反射电极(9)。而且,反射对比度降低防止电极(13)形成在规定区域的上方,具有经由绝缘膜(10)在俯视时与反射电极(9)重叠的区域。而且,反射对比度降低防止电极(13)为电浮置状态。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1862349A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200610081917.4

    申请日:2006-05-09

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F2001/136218

    Abstract: 在源极布线(2)下层隔着栅极绝缘膜(8),沿源极布线(2)配置第一电极图案(11),在源极布线(2)上层隔着层间绝缘膜(9),沿源极布线(2),且在基本不与所述源极布线(2)重叠的位置配置第二电极图案(12),通过配置在上下层的电极图案(11、12)有效屏蔽来自源极布线(2)的泄漏电场。另外,第一电极图案(11)与栅极布线(1)以及第二电极图案(12)与对置电极(6),由同一层导电膜形成。从而,得到减少来自源极布线(2)的泄漏电场导致液晶(300)取向的散乱,同时增大开口率且不增加制造工序而使源极布线(2)与对置电极(6)之间不易发生短路的液晶显示装置及其制造方法。

    半透射型液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1760739A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200510099912.X

    申请日:2005-09-08

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F2001/136218

    Abstract: 本发明的目的在于在将源极布线和反射像素电极设置于同一层上的半透射型液晶显示装置中,提供一种即使在保持源极布线和反射像素电极两者之间的间隔的情况下形成,反射对比度也不会降低的半透射型液晶显示装置。在反射像素电极(65)与源极布线(63)之间的间隔(L)处的、重叠于第一辅助电容电极(23)的位置上,形成用于防止反射对比度降低的、防止对比度降低的电极(95)。

    半透射型液晶显示装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100443967C

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200610059473.4

    申请日:2006-03-13

    CPC classification number: G02F1/133553 G02F1/136213 G02F2203/09

    Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置,在规定的位置备有反射对比度降低防止电极的半透射型液晶显示装置中,可维持防止反射对比度降低,并且能够防止亮点缺陷。在与源极配线(3)同一层内的像素区域的反射区域(S)上,备有与源极配线(3)仅隔开规定区域形成的反射电极(9)。而且,反射对比度降低防止电极(13)形成在规定区域的上方,具有经由绝缘膜(10)在俯视时与反射电极(9)重叠的区域。而且,反射对比度降低防止电极(13)为电浮置状态。

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