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公开(公告)号：CN100555641C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710137041.5
申请日：2007-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种显示质量优良、生产率较高的显示装置。本发明的TFT阵列衬底在衬底(110)上具有栅电极(1)、栅极绝缘膜(3)、半导体层(23)和由透明导电膜(11)构成的源电极(11b)和漏电极(11c)、从漏电极(11c)延伸设置的像素电极(11a)。并且，在透明导电膜(11)上，形成具有到达源电极(11b)的源电极接触孔(27)的层间绝缘膜(8)和源极布线(22)。还具有通过源电极接触孔(27)与源电极(11b)连接的源极布线(22)。
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公开(公告)号：CN100479179C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610008807.5
申请日：2006-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。
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公开(公告)号：CN101110434A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137041.5
申请日：2007-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种显示质量优良、生产率较高的显示装置。本发明的TFT阵列衬底在衬底(110)上具有栅电极(1)、栅极绝缘膜(3)、半导体层(23)和由透明导电膜(11)构成的源电极(11b)和漏电极(11c)、从漏电极(11c)延伸设置的像素电极(11a)。并且，在透明导电膜(11)上，形成具有到达源电极(11b)的源电极接触孔(27)的层间绝缘膜(8)和源极布线(22)。还具有通过源电极接触孔(27)与源电极(11b)连接的源极布线(22)。
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公开(公告)号：CN101079431A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710106375.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol％的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。
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公开(公告)号：CN100550397C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710109700.4
申请日：2007-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。
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公开(公告)号：CN101388371A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810173789.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: H01L21/2855 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。
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公开(公告)号：CN100420035C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510089557.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133555 , G02F2001/136236 , H01L21/32139 , H01L27/124
Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时，通过改变仅一部分区域的曝光量，形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后，与通常相同地形成图案。此后，完全去除该区域的抗蚀剂，仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔，通过该接触孔使得与象素电极电连接，其中，该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1959980A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143663.4
申请日：2006-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L29/43 , H01L27/12 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/1343 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明的TFT阵列基板(100)包括基板(10)、在基板(10)上按每个像素形成的像素电极(20)和对应于像素电极(20)在基板(10)上形成的TFT元件(30)。而且，与TFT元件(30)连接的电极/布线(31、32、34、331)和电容电极(40)等含有由上层膜(31b、32b、34b、331b)及下层膜(31a、32a、34a、331a)积层而形成的积层体，下层膜(31a)等由包含1种以上的元素周期表第8族元素的铝合金形成，上层膜(31b)等通过在下层膜(31a)等上淀积，用包含1种以上元素周期表第8族元素及氮的铝合金形成。从而，能够以简单的结构简易地实现耐碱性优良、加工精度高的导电体结构。
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公开(公告)号：CN1825622A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610008807.5
申请日：2006-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。
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公开(公告)号：CN104102059B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410131136.6
申请日：2014-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。
