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公开(公告)号：CN100421014C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200410084170.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。
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公开(公告)号：CN1609689A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410084170.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/00
Abstract: 提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。
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公开(公告)号：CN100514657C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610005775.3
申请日：2006-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高开口率的有源矩阵衬底，其能够防止像素电极和辅助电容电极之间的电短路。在绝缘衬底(1)上形成栅极线(2)和辅助电容电极(3)，在辅助电容电极(3)上形成孔部(3h)。形成第1层间绝缘膜(5)，使其将栅极线(2)和辅助电容电极(3)覆盖，在其上形成源极线(9)、半导体层和漏极(10)，并形成第2层间绝缘膜(12)将它们覆盖。在第2层间绝缘膜(12)上形成接触孔(14)，接触孔(14)在与上述孔部(3h)对应的部分到达上述漏极(10)。第2层间绝缘膜(12)上形成的像素电极(15)通过上述接触孔(14)连接到漏极(10)上。
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公开(公告)号：CN1819217A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610005775.3
申请日：2006-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高开口率的有源矩阵衬底，其能够防止象素电极和辅助电容电极之间的电短路。在绝缘衬底(1)上形成栅极线(2)和辅助电容电极(3)，在辅助电容电极(3)上形成孔部(3h)。形成第1层间绝缘膜(5)，使其将栅极线(2)和辅助电容电极(3)覆盖，在其上形成源极线(9)、半导体层和漏极(10)，并形成第2层间绝缘膜(12)将它们覆盖。在第2层间绝缘膜(12)上形成接触孔(14)，接触孔(14)在与上述孔部(3h)对应的部分到达上述漏极(10)。第2层间绝缘膜(12)上形成的象素电极(15)通过上述接触孔(14)连接到漏极(10)上。
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公开(公告)号：CN1229677C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03155084.3
申请日：2003-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社 , 先进显示股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , H01L29/786 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2201/48
Abstract: 本发明的半透射型显示器件的制造方法包括：在透明基板上的透射显示区20形成遮光膜14的工序；在形成了遮光膜14的透明基板1上形成感光性有机膜7的工序；对感光性有机膜7进行曝光和显影，形成贯穿透射显示区20的感光性有机膜7的通孔7a的工序；在通孔7a形成后去除掉从通孔7a露出的遮光膜14的工序；以及在感光性有机膜7的上方形成反射膜9，从而形成反射区的工序。据此，在用于形成有机平坦化膜的曝光处理时，利用透过了TFT阵列基板的光的平台处的反射光，可防止在有机平坦化膜的膜厚方面产生可看到的不均匀性。
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公开(公告)号：CN1512239A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN03155084.3
申请日：2003-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社 , 先进显示股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , H01L29/786 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2201/48
Abstract: 本发明的半透射型显示器件的制造方法包括：在透明基板上的透射显示区20形成遮光膜14的工序；在形成了遮光膜14的透明基板1上形成感光性有机膜7的工序；对感光性有机膜7进行曝光和显影，形成贯穿透射显示区20的感光性有机膜7的通孔7a的工序；在通孔7a形成后去除掉从通孔7a露出的遮光膜14的工序；以及在感光性有机膜7的上方形成反射膜9，从而形成反射区的工序。据此，在用于形成有机平坦化膜的曝光处理时，利用透过了TFT阵列基板的光的平台处的反射光，可防止在有机平坦化膜的膜厚方面产生可看到的不均匀性。
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