公开(公告)号：CN100421014C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200410084170.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮本贤一 ,  松井泰志 ,  日野辉重 ,  石贺展昭 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。

公开(公告)号：CN1609689A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410084170.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮本贤一 ,  松井泰志 ,  日野辉重 ,  石贺展昭 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。