公开(公告)号：CN100421014C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200410084170.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮本贤一 ,  松井泰志 ,  日野辉重 ,  石贺展昭 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。

公开(公告)号：CN1609689A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410084170.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮本贤一 ,  松井泰志 ,  日野辉重 ,  石贺展昭 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。

公开(公告)号：CN1953140A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610137421.4

申请日：2006-10-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柴田英次 ,  日野辉重

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种膜的图案化方法，无需作为蚀刻剂使用特定的气体且严密地控制该添加量，而将膜的加工两端部作成随着从衬底分离而两端部间的距离缩短的锥形，并可使该锥形的角度成为期望角度。本发明的膜的图案化方法，在衬底上形成膜(4、5)，在膜(4、5)的上层将第一覆盖层(10)与其上层的第二覆盖层(11)图案化，使该第二覆盖层(11)设有从该第一覆盖层(10)端部突出的舌部，在膜(4、5)的上层形成第一覆盖层(10)及第二覆盖层(11)图案的状态下，将膜(4、5)蚀刻并图案化。

公开(公告)号：CN1722451A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084430.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野辉重 ,  田上和昭 ,  柴田英次 ,  小田拓嗣

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/31116 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  Y10S156/916 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以保持蚀刻的一致性并进行高可靠性蚀刻的显示装置的制造方法和制造装置。在本发明的显示装置的制造方法中，在一对电极间产生电场，在至少在表面含有铝的下部电极(2)上的绝缘性基板(3)的表面所形成的绝缘膜上形成接触孔，其特征在于，包括：在上述下部电极(2)上，包围设置了上述绝缘性基板(3)的区域的外周部被绝缘材料所覆盖，在该状态下，在上述绝缘膜上形成接触孔的工序。

公开(公告)号：CN100388502C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510084430.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野辉重 ,  田上和昭 ,  柴田英次 ,  小田拓嗣

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/31116 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  Y10S156/916 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以保持蚀刻的一致性并进行高可靠性蚀刻的显示装置的制造方法和制造装置。在本发明的显示装置的制造方法中，在一对电极间产生电场，在至少在表面含有铝的下部电极(2)上的绝缘性基板(3)的表面所形成的绝缘膜上形成接触孔，其特征在于，包括：在上述下部电极(2)上，包围设置了上述绝缘性基板(3)的区域的外周部被绝缘材料所覆盖，在该状态下，在上述绝缘膜上形成接触孔的工序。

公开(公告)号：CN101064273A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710101893.9

申请日：2007-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田上和昭 ,  日野辉重 ,  柴田英次 ,  屋比久英夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种能够防止导电层损伤的布线衬底及其制造方法以及显示装置。本发明的一个实施方式的布线衬底的制造方法具有如下步骤：第一刻蚀步骤，为了对含Al的下层(31)以及含Mo的上层(32)进行侧面刻蚀，通过抗蚀剂图形(33)对下层(31)以及上层(32)进行刻蚀；灰化步骤，在第一刻蚀步骤之后，为使上层(32)侧端部的表面露出，使抗蚀剂图形(33)后退；第二刻蚀步骤，在灰化步骤后，为使上层(32)的剖面成为正锥形形状，通过后退后的抗蚀剂图形(33)进行刻蚀。

公开(公告)号：CN1881593A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610073326.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增田惠 ,  荒木利夫 ,  日野辉重

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供简化TFT结构部的制造工序，同时不限定源/漏电极材质，并准确控制成为TFT沟道部的半导体层膜厚，并防止显示不匀的电光显示装置。漏电极(26)配置成从活性区层(AR)上开始延伸至像素电极(30)下方的透明绝缘性衬底(1)上方。源电极(24)及源极布线(25)配置成使其端面位于相对半导体膜(6)任意端面均退后的位置，活性区层(AR)上的漏电极(26)端面也配置成位于相对半导体膜(6)的具有大致平行关系的端面退后的位置。