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公开(公告)号：CN1323319C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410058684.7
申请日：2004-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L29/4908
Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的薄膜晶体管阵列衬底的液晶显示装置用薄膜晶体管阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成薄膜晶体管的工序。
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公开(公告)号：CN1577017A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058684.7
申请日：2004-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L29/4908
Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的TFT阵列衬底的液晶显示装置用TFT阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成TFT的工序。
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公开(公告)号：CN100388502C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510084430.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/31116 , G02F1/136227 , H01L27/1248 , Y10S156/916 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以保持蚀刻的一致性并进行高可靠性蚀刻的显示装置的制造方法和制造装置。在本发明的显示装置的制造方法中，在一对电极间产生电场，在至少在表面含有铝的下部电极(2)上的绝缘性基板(3)的表面所形成的绝缘膜上形成接触孔，其特征在于，包括：在上述下部电极(2)上，包围设置了上述绝缘性基板(3)的区域的外周部被绝缘材料所覆盖，在该状态下，在上述绝缘膜上形成接触孔的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064273A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101893.9
申请日：2007-04-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/84 , H01L23/522 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种能够防止导电层损伤的布线衬底及其制造方法以及显示装置。本发明的一个实施方式的布线衬底的制造方法具有如下步骤：第一刻蚀步骤，为了对含Al的下层(31)以及含Mo的上层(32)进行侧面刻蚀，通过抗蚀剂图形(33)对下层(31)以及上层(32)进行刻蚀；灰化步骤，在第一刻蚀步骤之后，为使上层(32)侧端部的表面露出，使抗蚀剂图形(33)后退；第二刻蚀步骤，在灰化步骤后，为使上层(32)的剖面成为正锥形形状，通过后退后的抗蚀剂图形(33)进行刻蚀。
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公开(公告)号：CN100539193C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710110268.0
申请日：2007-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 柴田英次
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种具有优良特性的TFT阵列衬底、其制造方法以及使用该衬底的显示装置。本发明的一个实施方式的TFT阵列衬底是具有配置在源极区域(41)和漏极区域(42)之间的沟道区域(43)的TFT阵列衬底，包括形成在衬底(1)上的栅电极(2)、以履盖栅电极(2)的方式形成的栅极绝缘膜(3)、隔着栅极绝缘膜(3)设置在栅电极(2)上的半导体层(30)、具有设置在半导体层(30)的源极区域(41)上的金属膜的源电极(6)、具有设置在半导体层(30)的漏极区域(42)上的金属膜的漏电极(7)、配置在源电极(6)与源极区域(41)之间以及漏电极(7)和漏极区域(42)之间的透明导电膜(10)，半导体层(30)的从透明导电膜(10)露出的部分的剖面是正锥形形状。
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公开(公告)号：CN101087004A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110268.0
申请日：2007-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 柴田英次
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种具有优良特性的TFT阵列衬底、其制造方法以及使用该衬底的显示装置。本发明的一个实施方式的TFT阵列衬底是具有配置在源极区域(41)和漏极区域(42)之间的沟道区域(43)的TFT阵列衬底，包括形成在衬底(1)上的栅电极(2)、以覆盖栅电极(2)的方式形成的栅极绝缘膜(3)、隔着栅极绝缘膜(3)设置在栅电极(2)上的半导体层(30)、具有设置在半导体层(30)的源极区域(41)上的金属膜的源电极(6)、具有设置在半导体层(30)的漏极区域(42)上的金属膜的漏电极(7)、配置在源电极(6)与源极区域(41)之间以及漏电极(7)和漏极区域(42)之间的透明导电膜(10)，透明导电膜(10)的从半导体层30露出部分的剖面是正锥形形状。
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公开(公告)号：CN1953140A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610137421.4
申请日：2006-10-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种膜的图案化方法，无需作为蚀刻剂使用特定的气体且严密地控制该添加量，而将膜的加工两端部作成随着从衬底分离而两端部间的距离缩短的锥形，并可使该锥形的角度成为期望角度。本发明的膜的图案化方法，在衬底上形成膜(4、5)，在膜(4、5)的上层将第一覆盖层(10)与其上层的第二覆盖层(11)图案化，使该第二覆盖层(11)设有从该第一覆盖层(10)端部突出的舌部，在膜(4、5)的上层形成第一覆盖层(10)及第二覆盖层(11)图案的状态下，将膜(4、5)蚀刻并图案化。
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公开(公告)号：CN1722451A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084430.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/31116 , G02F1/136227 , H01L27/1248 , Y10S156/916 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以保持蚀刻的一致性并进行高可靠性蚀刻的显示装置的制造方法和制造装置。在本发明的显示装置的制造方法中，在一对电极间产生电场，在至少在表面含有铝的下部电极(2)上的绝缘性基板(3)的表面所形成的绝缘膜上形成接触孔，其特征在于，包括：在上述下部电极(2)上，包围设置了上述绝缘性基板(3)的区域的外周部被绝缘材料所覆盖，在该状态下，在上述绝缘膜上形成接触孔的工序。
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