公开(公告)号：CN1323319C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的薄膜晶体管阵列衬底的液晶显示装置用薄膜晶体管阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成薄膜晶体管的工序。

公开(公告)号：CN1577017A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的TFT阵列衬底的液晶显示装置用TFT阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成TFT的工序。