公开(公告)号：CN1819217A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610005775.3

申请日：2006-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽水京子 ,  大谷诚 ,  松井泰志

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高开口率的有源矩阵衬底，其能够防止象素电极和辅助电容电极之间的电短路。在绝缘衬底(1)上形成栅极线(2)和辅助电容电极(3)，在辅助电容电极(3)上形成孔部(3h)。形成第1层间绝缘膜(5)，使其将栅极线(2)和辅助电容电极(3)覆盖，在其上形成源极线(9)、半导体层和漏极(10)，并形成第2层间绝缘膜(12)将它们覆盖。在第2层间绝缘膜(12)上形成接触孔(14)，接触孔(14)在与上述孔部(3h)对应的部分到达上述漏极(10)。第2层间绝缘膜(12)上形成的象素电极(15)通过上述接触孔(14)连接到漏极(10)上。

公开(公告)号：CN100514657C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610005775.3

申请日：2006-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽水京子 ,  大谷诚 ,  松井泰志

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高开口率的有源矩阵衬底，其能够防止像素电极和辅助电容电极之间的电短路。在绝缘衬底(1)上形成栅极线(2)和辅助电容电极(3)，在辅助电容电极(3)上形成孔部(3h)。形成第1层间绝缘膜(5)，使其将栅极线(2)和辅助电容电极(3)覆盖，在其上形成源极线(9)、半导体层和漏极(10)，并形成第2层间绝缘膜(12)将它们覆盖。在第2层间绝缘膜(12)上形成接触孔(14)，接触孔(14)在与上述孔部(3h)对应的部分到达上述漏极(10)。第2层间绝缘膜(12)上形成的像素电极(15)通过上述接触孔(14)连接到漏极(10)上。