公开(公告)号：CN101097927A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710109700.4

申请日：2007-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田和幸 ,  石贺展昭 ,  井上和式

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。

公开(公告)号：CN100550397C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710109700.4

申请日：2007-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田和幸 ,  石贺展昭 ,  井上和式

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。