公开(公告)号：CN101465296B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810178050.3

申请日：2008-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  中川直纪 ,  大野岳 ,  内田祐介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH3、N2、SiH4构成的原料气体、和H2或由H2与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为4以下进行成膜。

公开(公告)号：CN1577773A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。

公开(公告)号：CN101465296A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810178050.3

申请日：2008-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  中川直纪 ,  大野岳 ,  内田祐介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH3、N2、SiH4构成的原料气体、和H2或由H2与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为4以下进行成膜。

公开(公告)号：CN1869796A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610068241.5

申请日：2006-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  内田祐介 ,  长山显祐 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/14621

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种液晶显示装置，即使使用预定的蚀刻剂，按预定的形状图形化非晶质的导电性膜，形成保护绝缘膜使之覆盖该图形化了的导电性膜，也能够防止该保护绝缘膜的异常生长。本发明的一个例子的液晶显示装置，在上面形成有薄膜晶体管的玻璃基板1与在上面形成有对置电极的滤色基板16之间，密封液晶。而且，像素电极10与薄膜晶体管的漏电极连接。此外，通过具有透明性的保护绝缘膜13覆盖像素电极10。该像素电极10具有包含In与Zn的氧化化合物。

公开(公告)号：CN101465360A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810185585.3

申请日：2008-12-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 林正美 ,  内田祐介

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及光传感器以及光传感器的制造方法。在考虑了与非晶硅的粘合性后，防止源电极和漏电极的断线。本发明的光传感器具有TFT阵列衬底，该TFT阵列衬底具有阵列状配置有薄膜晶体管(101)的元件区域(102)，具有设置在薄膜晶体管(101)的上部并形成有接触孔(CH1)的钝化膜(8)和通过接触孔(CH1)与薄膜晶体管(101)的漏电极(7)连接的光电二极管(100)，在TFT阵列衬底的元件区域的外侧的周边区域(103)，钝化膜(8)和栅极绝缘膜(3)被除去，周边区域(103)的钝化膜(8)的边缘形成在与周边区域的栅极绝缘膜(3)的边缘相同的位置或者栅极绝缘膜(3)的边缘的外侧。

公开(公告)号：CN100336189C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。