公开(公告)号：CN100336189C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。

公开(公告)号：CN1577773A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。