公开(公告)号：CN1885120A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610074336.8

申请日：2006-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森井康裕 ,  石川敬充 ,  寺元弘

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13394

Abstract: 本发明的目的在于提供一种设置了柱状隔离物的半透射型液晶显示装置，即使透射区域中使用的色料和反射区域中使用的色料相同，也可以抑制反射模式中的白色调的变化，同时，将反射率的降低抑制到最小限度。本发明具有：滤色片衬底(30)；TFT衬底；被滤色片衬底(30)和TFT衬底夹持的液晶；只形成在具有绿色色料的像素上，并规定单元间隙的柱状隔离物；遮光部，只设置在形成柱状隔离物的位置附近的预定区域上。

公开(公告)号：CN100336189C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。

公开(公告)号：CN100426088C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200610074336.8

申请日：2006-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森井康裕 ,  石川敬充 ,  寺元弘

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13394

Abstract: 本发明的目的在于提供一种设置了柱状隔离物的半透射型液晶显示装置，即使透射区域中使用的色料和反射区域中使用的色料相同，也可以抑制反射模式中的白色调的变化，同时，将反射率的降低抑制到最小限度。本发明具有：滤色片衬底(30)；TFT衬底；被滤色片衬底(30)和TFT衬底夹持的液晶；只形成在具有绿色色料的像素上，并规定单元间隙的柱状隔离物；遮光部，只设置在形成柱状隔离物的位置附近的预定区域上。

公开(公告)号：CN1896821A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610095914.6

申请日：2006-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺元弘 ,  石川敬充 ,  森井康裕

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F2202/40

Abstract: 本发明的目的在于提供可减小反射光的光学特性的偏差的半透射型液晶显示装置。本发明的半透射型液晶显示装置，其中设有：包括形成透射区域(T)的透射像素电极和形成反射区域(S)的反射像素电极的TFT阵列衬底；包括利用色材料(32)形成的彩色滤光片和在彩色滤光片周围设置的遮光膜(34)的彩色滤光片衬底；以及夹在TFT阵列衬底与彩色滤光片衬底之间的液晶，所述半透射型液晶显示装置还包括：设于反射区域(S)的色材料(32)的开口部(35)，其至少二边构成在加工尺寸精度高于色材料(32)的遮光膜(34)上，以及填入开口部(35)并覆盖色材料(32)地成膜的树脂膜。

公开(公告)号：CN1577773A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。

公开(公告)号：CN210200172U

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201921092088.9

申请日：2019-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺元弘

IPC: G09F9/00 ,  G02B5/20

Abstract: 本实用新型涉及保护板及显示装置。本实用新型的目的在于提供有机树脂膜的剥离减少、可靠性提高的保护板。保护板对显示装置的前表面进行保护。保护板包含：透明基材，其具有平板形状，包含主面；有机树脂膜，其含有颜料，设置于透明基材的主面的外周部；以及多层膜，其包含至少2种薄膜，该至少2种薄膜针对紫外线具有彼此不同的折射率，各自由无机材料构成。多层膜设置于透明基材的主面和有机树脂膜之间。