-
公开(公告)号:CN109478543A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201680087903.5
申请日:2016-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体芯片(3)经由第1焊料(2)而接合于电极基板(1)的上表面。引线框(5)经由第2焊料(4)而接合于半导体芯片(3)的上表面。在电极基板(1)和半导体芯片(3)之间,中间板(6)设置于第1焊料(2)中。中间板(6)的屈服强度在半导体装置的整个使用温度范围比电极基板(1)及第1焊料(2)的屈服强度大。
-
公开(公告)号:CN104137252A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201280070502.0
申请日:2012-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49844 , H01L23/564 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/49111 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体装置,其内置散热器,在该半导体装置中具有为了抑制绝缘破坏而进行了改善的结构。半导体装置具有:具有底面的导电性的散热器、片部件、作为半导体元件的IGBT和二极管、以及模塑树脂。片部件具有表面和背面,将表面和背面电绝缘,表面与散热器的底面接触,并且该片部件具有从底面的边缘凸出的周缘部。IGBT和二极管固定在散热器上,且与散热器电连接。模塑树脂对片部件的表面、散热器、以及半导体元件进行封装,并且使片部件的背面的至少一部分露出。散热器在底面的角处具有角部,该角部在俯视观察时为倒角形状或者曲面形状,且在剖面观察时为矩形形状。
-
公开(公告)号:CN102623360B
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201110364928.4
申请日:2011-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/4842 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于得到一种半导体装置的制造方法,能够容易地除去树脂飞边,并且,能够抑制引线框架的端子间的放电。使用具有封装外部区域(5)和封装内部区域(6)的引线框架(1)。在引线框架(1)的侧面的上端设置有毛刺面(7),在侧面的上端附近设置有断裂面(8)。在封装外部区域(5),对引线框架(1)的侧面的上端进行倒角加工。在封装内部区域(6),将半导体元件(10)搭载在引线框架(1)上,用模塑树脂(12)进行密封。在倒角加工以及树脂密封之后,在封装外部区域(5),将在引线框架(1)的侧面设置的树脂飞边(13)除去。
-
公开(公告)号:CN102194784A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201010586664.2
申请日:2010-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/142 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置,以解决为了控制更大的电流而加厚了接合部件的厚度时,会恶化其散热性等的问题。本发明的半导体装置,其中包括:作为半导体元件的功率半导体元件(1);接合功率半导体元件(1)的上表面及下表面的接合部(4);以及隔着接合部(4)而对半导体元件(1)上下接合的金属板(3、5),接合部(4)具备配置在功率半导体元件(1)与金属板(3、5)之间的网状金属体(8),和埋设网状金属体(8)的接合部件(2)。
-
-
-
-