公开(公告)号：CN101494220A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910003249.7

申请日：2009-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  李明宰 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦 ,  金起焕

IPC: H01L27/02 ,  H01L45/00 ,  H01L21/77 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。

公开(公告)号：CN101086968A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610166770.9

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  车映官

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。

公开(公告)号：CN1770392A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106861.9

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊 ,  殷华湘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/02356 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。

公开(公告)号：CN1674284A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410103753.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  柳寅儆 ,  朴永洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种电子器件和一种制造该种电子器件的方法。该电子器件包括第一衬底、在第一衬底上提供的第一下电容器、在第一下电容器上提供的第一下开关元件和在第一下开关元件上提供的第二衬底。该电子器件还包括与所述第一下电容器不接触的第二下开关元件和该第二衬底上的上电容器，其中上电容器的下电极连接第二下开关元件。

公开(公告)号：CN110349992B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201811086256.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  鲜于文旭 ,  具本原 ,  卢卓均 ,  李昌承

IPC: H10K39/32 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。

公开(公告)号：CN101315942B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：CN101819982B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010175802.8

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。

公开(公告)号：CN101064258B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200610126325.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  李准浩 ,  林赫 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/36 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。

公开(公告)号：CN101123180A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710141807.7

申请日：2007-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵世泳 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分，由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果，在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此，可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构，并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。

公开(公告)号：CN1630099A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410081934.9

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  野口隆 ,  鲜于文旭 ,  金道暎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法，可以减少工序和掩模的数量，从而降低生产成本。该薄膜晶体管包括衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上彼此间隔开的源极和漏极；在缓冲层上形成的使源极和漏极彼此连接起来的沟道层；及在缓冲层上形成的与源极、漏极和沟道层间隔开的栅极。