公开(公告)号：CN109755218A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810567838.7

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭玟灿 ,  全辉璨 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  李相炫 ,  黄寅灿

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括在衬底上彼此间隔开并平行地线形延伸的多个有源区域。栅电极跨越所述多个有源区域，并且相应漏极区域在有源区域的位于栅电极的第一侧的相应有源区域上和/或中，相应源极区域在有源区域的位于栅电极的第二侧的相应有源区域上和/或中。漏极插塞设置在漏极区域上，源极插塞设置在源极区域上。栅极插塞在漏极插塞与源极插塞之间设置于栅电极上，使得穿过漏极插塞的中心和源极插塞的中心的直线交叉栅极插塞。

公开(公告)号：CN118412351A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311375926.4

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志䛵 ,  黄东勋 ,  黄寅灿 ,  金孝珍 ,  林载炯

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/06

Abstract: 一种三维堆叠场效应晶体管可以包括：包括第一后侧电源线和第二后侧电源线的后侧布线层、在后侧布线层上的第一场效应晶体管、在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管、在第二场效应晶体管上方的前侧布线层、将第一场效应晶体管连接到第二场效应晶体管的第一贯通电极、以及连接前侧电源线和后侧电源线的第二贯通电极。前侧布线层可以在第一方向上延伸，并且可以包括连接到第二后侧电源线的前侧电源线。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管可以共享在第二方向上延伸的栅极。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一个可以包括在第一方向上分别位于栅极的两侧的源极和漏极、以及在源极和漏极之间并且被栅极围绕的沟道。

公开(公告)号：CN117995889A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310667286.8

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明一 ,  黄寅灿 ,  黄东勳 ,  金庚浩 ,  张成宇 ,  赵敬熙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，从基底的上表面突出并且与基底的上表面平行地延伸；元件隔离区域，形成在基底上并且在有源区域周围；沟道，形成在有源区域的上表面上；栅极结构，围绕沟道的至少两个表面；间隔件，形成在栅极结构的两个侧壁上；以及源极/漏极层，与沟道的在两个侧壁接触并且通过间隔件与栅极结构绝缘。栅极结构在剖面中包括第一部分和在第一部分下方的第二部分，第一部分在第一方向上的宽度从栅极结构的上部朝向更靠近基底的下部增大，第二部分在第一方向上的宽度保持相同或减小。

公开(公告)号：CN109755218B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810567838.7

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭玟灿 ,  全辉璨 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  李相炫 ,  黄寅灿

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

公开(公告)号：CN116978860A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310478465.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  洪元赫 ,  曹健浩 ,  黄寅灿 ,  徐康一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其形成方法。形成集成电路器件的方法可以包括提供第一有源区和第二有源区、隔离层以及第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构。第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构可以接触第一有源区和第二有源区，并且第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构每个可以包括沟道层和牺牲层。该方法还可以包括在隔离层上形成蚀刻停止层，用第一源极/漏极区和第二源极/漏极区替换第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构的部分，形成包括前接触插塞的前接触，形成背面绝缘体，以及在隔离层和背面绝缘体中形成背接触插塞。前接触插塞的一部分和背接触插塞的一部分中的至少一个可以在蚀刻停止层中。

公开(公告)号：CN116666373A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310154810.1

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  孙吉焕 ,  黄寅灿 ,  任廷爀 ,  徐康一 ,  朴世韩 ,  李昇映 ,  咸富铉 ,  李长根 ,  郑明勋 ,  尹承灿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。

公开(公告)号：CN114388607A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110504821.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄寅灿 ,  全辉璨 ,  洪炳鹤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法和晶体管结构。一种半导体器件包括：基板；第一晶体管，形成在基板之上并具有第一晶体管堆叠，该第一晶体管堆叠包括多个第一沟道结构、围绕第一沟道结构的第一栅极结构以及在第一晶体管堆叠的在第一沟道长度方向上的两端处的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；以及第二晶体管，在垂直方向上形成在第一晶体管之上并具有第二晶体管堆叠，该第二晶体管堆叠包括多个第二沟道结构、围绕第二沟道结构的第二栅极结构以及在第二晶体管堆叠的在第二沟道长度方向上的两端处的第三源极/漏极区和第四源极/漏极区，其中第三源极/漏极区不与第一源极/漏极区或第二源极/漏极区垂直地重叠，并且第四源极/漏极区不与第一源极/漏极区或第二源极/漏极区垂直地重叠。

公开(公告)号：CN112420697A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010715381.7

申请日：2020-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭玟灿 ,  朴贤镐 ,  郑圣宪 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/45

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极/漏极图案，在第一有源区上；第二源极/漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极/漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极/漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸。