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公开(公告)号:CN117203947A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202280030123.2
申请日:2022-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L25/03
Abstract: 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开提供了一种由用户设备(UE)执行的方法,该方法包括:在包括第一信号传输区段和第二信号传输区段的时隙中从基站接收数据;识别接收的数据是否包括第一信号传输区段中用于基站的自干扰信道估计的第一数据;在接收的数据包括第一信号传输区段中的第一数据的情况下,使用用于第一信号传输区段的第一传输方案对第一数据进行解码;以及在该数据包括第二信号传输区段中的第二数据的情况下,使用用于第二信号传输区段的第二传输方案对第二数据进行解码。
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公开(公告)号:CN107301946B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201710243397.0
申请日:2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括:第一清洁单元,包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴,第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体;以及第二清洁单元,包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴,第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。
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公开(公告)号:CN113711492A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202080029374.X
申请日:2020-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了根据各种实施例的定向耦合器和具有该定向耦合器的电子装置。所述定向耦合器包括:第一层,所述第一层具有至少一个导电部分;第二层,所述第二层在第一方向上与所述第一层相邻地设置,并具有与所述第一层的所述导电部分对应的至少一个导电板;第三层,所述第三层在所述第一方向上与所述第二层相邻地设置,并包括RF信号传输线;第四层,所述第四层在所述第一方向上与所述第三层相邻地设置,并具有缠绕至少一圈的导电线;以及至少一个导电通路,所述至少一个导电通路电连接所述第二层的所述至少一个导电板和所述第四层的缠绕至少一圈的所述导电线。
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公开(公告)号:CN107953260B
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN201710727476.9
申请日:2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 二和金刚石工业株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B37/005 , B24B49/16 , H01L21/66
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫,确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度,准备修整盘,并将修整盘置于抛光垫上,并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。
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公开(公告)号:CN108432043B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201780005235.1
申请日:2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,包括第一金属构件、第二金属构件以及位于所述第一金属构件的一端和所述第二金属构件的一端之间的非导电分割部分;接地构件;无线通信电路,通过第一电气路径连接到所述第一金属构件的第一点,并且通过第二电气路径连接到所述第一金属构件的第二点;第一导电图案,电连接到所述第一电气路径;第二导电图案,电连接到所述第二电气路径;第一电气可变元件,电连接在该第一电气路径和该接地构件之间;和第二电气可变元件,电连接在该第二金属构件和该接地构件之间。
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公开(公告)号:CN109148328A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810631977.1
申请日:2018-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02057 , H01L21/67126 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。
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公开(公告)号:CN108432043A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201780005235.1
申请日:2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,包括第一金属构件、第二金属构件以及位于所述第一金属构件的一端和所述第二金属构件的一端之间的非导电分割部分;接地构件;无线通信电路,通过第一电气路径连接到所述第一金属构件的第一点,并且通过第二电气路径连接到所述第一金属构件的第二点;第一导电图案,电连接到所述第一电气路径;第二导电图案,电连接到所述第二电气路径;第一电气可变元件,电连接在该第一电气路径和该接地构件之间;和第二电气可变元件,电连接在该第二金属构件和该接地构件之间。
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公开(公告)号:CN1779981A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200510114062.6
申请日:2005-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层,第一STI膜形成为半导体衬底的下部分,以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分,以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中,缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀,因此保证足够的柱子CD,而没有过度的湿法回蚀。由此,在实现SAP结构中,可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝,以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。
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