用于无线通信系统中的自干扰消除的方法和设备

    公开(公告)号:CN117203947A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202280030123.2

    申请日:2022-04-20

    Abstract: 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开提供了一种由用户设备(UE)执行的方法,该方法包括:在包括第一信号传输区段和第二信号传输区段的时隙中从基站接收数据;识别接收的数据是否包括第一信号传输区段中用于基站的自干扰信道估计的第一数据;在接收的数据包括第一信号传输区段中的第一数据的情况下,使用用于第一信号传输区段的第一传输方案对第一数据进行解码;以及在该数据包括第二信号传输区段中的第二数据的情况下,使用用于第二信号传输区段的第二传输方案对第二数据进行解码。

    定向耦合器和具有定向耦合器的电子装置

    公开(公告)号:CN113711492A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202080029374.X

    申请日:2020-04-14

    Abstract: 提供了根据各种实施例的定向耦合器和具有该定向耦合器的电子装置。所述定向耦合器包括:第一层,所述第一层具有至少一个导电部分;第二层,所述第二层在第一方向上与所述第一层相邻地设置,并具有与所述第一层的所述导电部分对应的至少一个导电板;第三层,所述第三层在所述第一方向上与所述第二层相邻地设置,并包括RF信号传输线;第四层,所述第四层在所述第一方向上与所述第三层相邻地设置,并具有缠绕至少一圈的导电线;以及至少一个导电通路,所述至少一个导电通路电连接所述第二层的所述至少一个导电板和所述第四层的缠绕至少一圈的所述导电线。

    天线以及包括其的电子装置

    公开(公告)号:CN108432043B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201780005235.1

    申请日:2017-02-20

    Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,包括第一金属构件、第二金属构件以及位于所述第一金属构件的一端和所述第二金属构件的一端之间的非导电分割部分;接地构件;无线通信电路,通过第一电气路径连接到所述第一金属构件的第一点,并且通过第二电气路径连接到所述第一金属构件的第二点;第一导电图案,电连接到所述第一电气路径;第二导电图案,电连接到所述第二电气路径;第一电气可变元件,电连接在该第一电气路径和该接地构件之间;和第二电气可变元件,电连接在该第二金属构件和该接地构件之间。

    天线以及包括其的电子装置

    公开(公告)号:CN108432043A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201780005235.1

    申请日:2017-02-20

    Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,包括第一金属构件、第二金属构件以及位于所述第一金属构件的一端和所述第二金属构件的一端之间的非导电分割部分;接地构件;无线通信电路,通过第一电气路径连接到所述第一金属构件的第一点,并且通过第二电气路径连接到所述第一金属构件的第二点;第一导电图案,电连接到所述第一电气路径;第二导电图案,电连接到所述第二电气路径;第一电气可变元件,电连接在该第一电气路径和该接地构件之间;和第二电气可变元件,电连接在该第二金属构件和该接地构件之间。

    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1779981A

    公开(公告)日:2006-05-31

    申请号:CN200510114062.6

    申请日:2005-10-18

    CPC classification number: H01L27/115 H01L27/11521

    Abstract: 提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层,第一STI膜形成为半导体衬底的下部分,以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分,以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中,缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀,因此保证足够的柱子CD,而没有过度的湿法回蚀。由此,在实现SAP结构中,可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝,以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。

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