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公开(公告)号:CN107953260B
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN201710727476.9
申请日:2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 二和金刚石工业株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B37/005 , B24B49/16 , H01L21/66
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫,确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度,准备修整盘,并将修整盘置于抛光垫上,并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。
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公开(公告)号:CN107953260A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201710727476.9
申请日:2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 二和金刚石工业株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B37/005 , B24B49/16 , H01L21/66
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/005 , B24B37/042 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L22/12 , H01L22/20 , B24B37/0053 , B24B49/16 , H01L22/26
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫,确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度,准备修整盘,并将修整盘置于抛光垫上,并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。
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