制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN111490095B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202010049972.5

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 公开了一种制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法,包括:在具有由器件隔离膜限定的多个有源区的衬底中形成多个栅极沟槽,多个栅极沟槽与多个有源区交叉并沿第一水平方向彼此平行地延伸;在衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层;在第一栅极绝缘层和器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层;以及通过部分地去除第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层,并形成多个掩埋栅电极。

    天线以及包括其的电子装置

    公开(公告)号:CN108432043B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201780005235.1

    申请日:2017-02-20

    Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,包括第一金属构件、第二金属构件以及位于所述第一金属构件的一端和所述第二金属构件的一端之间的非导电分割部分;接地构件;无线通信电路,通过第一电气路径连接到所述第一金属构件的第一点,并且通过第二电气路径连接到所述第一金属构件的第二点;第一导电图案,电连接到所述第一电气路径;第二导电图案,电连接到所述第二电气路径;第一电气可变元件,电连接在该第一电气路径和该接地构件之间;和第二电气可变元件,电连接在该第二金属构件和该接地构件之间。

    天线以及包括其的电子装置

    公开(公告)号:CN108432043A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201780005235.1

    申请日:2017-02-20

    Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,包括第一金属构件、第二金属构件以及位于所述第一金属构件的一端和所述第二金属构件的一端之间的非导电分割部分;接地构件;无线通信电路,通过第一电气路径连接到所述第一金属构件的第一点,并且通过第二电气路径连接到所述第一金属构件的第二点;第一导电图案,电连接到所述第一电气路径;第二导电图案,电连接到所述第二电气路径;第一电气可变元件,电连接在该第一电气路径和该接地构件之间;和第二电气可变元件,电连接在该第二金属构件和该接地构件之间。

    包括天线的电子装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118975051A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202380032051.X

    申请日:2023-03-24

    Abstract: 根据本发明的各种实施方式的电子装置包括:第一壳体,包括第一空间;第二壳体,可滑动地联接到第一壳体并且包括第二空间;柔性显示器,设置成由第一壳体和第二壳体支撑,并且当柔性显示器从滑入状态转换为滑出状态时,柔性显示器的显示区域部分地改变;第一基板,设置在第一壳体的第一空间中;第二基板,设置在第二壳体的第一表面上并且包括第一天线图案;无线通信电路,设置在第一基板或第二基板中的一个上并且电连接到第一天线图案;以及形成在第二壳体的一部分中的孔。第一天线图案可以设置成与孔重叠。各种其它实施方式是可能的。

    包括标准单元的集成电路芯片
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115411029A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210020008.9

    申请日:2022-01-10

    Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路芯片。所述集成电路芯片包括:基底,包括第一元件区域和第二元件区域;第一沟道有源区域,沿第一方向延伸;第二沟道有源区域;栅极线,沿第二方向延伸并与第一沟道有源区域和第二沟道有源区域交叉;扩散中断,沿第二方向延伸;源极/漏极区域,位于栅极线的相对侧处并位于第一沟道有源区域和第二沟道有源区域上;第一电力线,电连接到源极/漏极区域;以及第二电力线,电连接到源极/漏极区域并具有比第一电力线的电压电平低的电压电平,其中,扩散中断包括:第一区域,包括绝缘体并与第一元件区域叠置;以及第二区域,包括与栅极线的材料相同的材料并与第二元件区域叠置,其中,第二区域电连接到第二电力线。

    制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN111490095A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010049972.5

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 公开了一种制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法,包括:在具有由器件隔离膜限定的多个有源区的衬底中形成多个栅极沟槽,多个栅极沟槽与多个有源区交叉并沿第一水平方向彼此平行地延伸;在衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层;在第一栅极绝缘层和器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层;以及通过部分地去除第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层,并形成多个掩埋栅电极。

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