公开(公告)号：CN111490095B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202010049972.5

申请日：2020-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳在 ,  金允贞 ,  梁世敏 ,  李气范

IPC: H10D64/27 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01

Abstract: 公开了一种制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法，包括：在具有由器件隔离膜限定的多个有源区的衬底中形成多个栅极沟槽，多个栅极沟槽与多个有源区交叉并沿第一水平方向彼此平行地延伸；在衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层和器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层；以及通过部分地去除第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层，并形成多个掩埋栅电极。

公开(公告)号：CN115810666A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211112249.2

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁世敏 ,  姜炳在 ,  李钟琴 ,  李熙性

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底中限定有源区的器件隔离膜、在衬底中由器件隔离膜限定的有源区、形成在有源区中的栅极图案、以及在有源区中在栅极图案两侧的源极/漏极区，源极/漏极区包括第一部分，第一部分掺有一氧化碳(CO)离子并被再结晶。

公开(公告)号：CN111490095A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010049972.5

申请日：2020-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳在 ,  金允贞 ,  梁世敏 ,  李气范

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法，包括：在具有由器件隔离膜限定的多个有源区的衬底中形成多个栅极沟槽，多个栅极沟槽与多个有源区交叉并沿第一水平方向彼此平行地延伸；在衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层和器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层；以及通过部分地去除第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层，并形成多个掩埋栅电极。