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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN115810666A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211112249.2

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁世敏 , 姜炳在 , 李钟琴 , 李熙性

IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底中限定有源区的器件隔离膜、在衬底中由器件隔离膜限定的有源区、形成在有源区中的栅极图案、以及在有源区中在栅极图案两侧的源极/漏极区，源极/漏极区包括第一部分，第一部分掺有一氧化碳(CO)离子并被再结晶。

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