公开(公告)号：CN105645064A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510746593.0

申请日：2015-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金民 ,  金泰坤 ,  金勋 ,  朴显俊 ,  吴承容 ,  李贤熙

IPC: B65G35/06

CPC classification number: B65G47/5122

Abstract: 提供了一种输送机设备。所述输送机设备包括：轨道，形成为闭合曲线；链式输送带，沿着轨道运动；驱动器，驱动链式输送带；第一可变输送机和第二可变输送机，相对地改变链式输送带的至少两个部分的长度，以使链式输送带的一部分停留在特定位置，同时使链式输送带的其他部分沿着轨道运动。

公开(公告)号：CN1193420C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN00135511.2

申请日：2000-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金民 ,  金晟泰

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

Abstract: 制造非易失性存储器件或其他半导体器件的方法包括在半导体衬底上的一个缓冲氧化层上形成一个硅层。形成缓冲氧化层之后，形成阻碍层。导电材料的控制栅极这样形成：对硅层、栅极氧化层和衬底构图，在衬底的上部形成沟槽。通过氧化沟槽的侧壁而在控制栅极材料的上部和下部产生鸟嘴形部分，可以实现均匀性。之后，形成一个填充沟槽的场氧化层。由于在沟槽侧壁的氧化过程中，鸟嘴形部分均匀形成在控制栅极材料的上部和下部，因此通过防止例如浮动栅极的侧壁具有正斜率，实现了均匀性。

公开(公告)号：CN1779981A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510114062.6

申请日：2005-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣俊 ,  金大雄 ,  金民

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层，第一STI膜形成为半导体衬底的下部分，以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分，以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中，缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀，因此保证足够的柱子CD，而没有过度的湿法回蚀。由此，在实现SAP结构中，可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝，以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。

公开(公告)号：CN1345089A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN00135511.2

申请日：2000-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金民 ,  金晟泰

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

Abstract: 制造非易失性存储器件或其他半导体器件的方法包括在半导体衬底上的一个缓冲氧化层上形成一个硅层。形成缓冲氧化层之后,形成阻碍层。导电材料的控制栅极这样形成:对硅层、栅极氧化层和衬底构图,在衬底的上部形成沟槽。通过氧化沟槽的侧壁而在控制栅极材料的上部和下部产生鸟嘴形部分,可以实现均匀性。之后,形成一个填充沟槽的场氧化层。由于在沟槽侧壁的氧化过程中,鸟嘴形部分均匀形成在控制栅极材料的上部和下部,因此通过防止例如浮动栅极的侧壁具有正斜率,实现了均匀性。

公开(公告)号：CN103187342A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210575149.3

申请日：2012-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金民 ,  朴渊默 ,  徐基锡 ,  韩泳洪

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L2224/7592

Abstract: 一种晶片附接设备，包括：台；夹持器部件，其是可移动的以对所述台施加负载；负载测量部件，其布置在所述夹持器部件与所述台之间，并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载，所述负载测量部件划分成多个负载测量区域，并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载；以及控制器部件，其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载，来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。