-
公开(公告)号：CN115831869A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211104779.2
申请日：2022-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供一种制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜。所述方法包括：制备包括基膜和层压在所述基膜的表面上的保护层的保护膜；将所述保护膜安装在半导体晶片上，所述半导体晶片具有附接到切割带的后表面和与所述后表面相对定位的前表面，所述保护层设置在所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。
-
-
公开(公告)号：CN107591387A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710266026.4
申请日：2017-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589
Abstract: 公开了一种半导体封装件和形成该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔(TSV)；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二TSV；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。非导电膜包括具有不同粘度的两层。
-
公开(公告)号：CN103700633B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310452241.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L25/065 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/28 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L23/147 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03009 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06582 , H01L2225/1017 , H01L2225/1041 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.026 seconds)
