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公开(公告)号：CN111834354B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010165748.2
申请日：2020-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/485
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装件结构，包括包含重新分布层的基体连接构件、包含连接到重新分布层的多个第一连接垫的第一半导体芯片、设置在基体连接构件上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分的包封剂以及设置在包封剂上并包含电连接到重新分布层的背侧布线层的背侧连接构件；以及第二半导体芯片，设置在基体连接构件或背侧连接构件上，第二半导体芯片包括连接到重新分布层或背侧布线层的多个第二连接垫，第二半导体芯片还包括逻辑电路，第一半导体芯片还包括通过重新分布层和背侧布线层中的至少一者连接到逻辑电路的逻辑输入端子和逻辑输出端子。
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公开(公告)号：CN110299354B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910046513.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H10B80/00 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 半导体封装包括：封装基板；下半导体芯片，在封装基板上；散热构件，在下半导体芯片上，所述散热构件具有水平单元和与水平单元相连的竖直单元；第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠，在水平单元上；以及模制构件，其围绕所述下半导体芯片、第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠以及散热构件。竖直单元可以布置在第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠之间，并且竖直单元的上表面可以在模制构件中暴露。
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公开(公告)号：CN106409248B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201610602118.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种数模转换器，包括放大器，包括与非反相输入端子相应的至少两个输入端子；以及斩波单元，在提供给与非反相输入端子相应的所述至少两个输入端子的电压之间执行斩波操作。数模转换器具有X+Y比特结构，并通过同时执行插值斩波操作和/或主缓冲器斩波操作来去除偏移。数模转换器结构可被实现在小的面积中，并且可以处理高比特图像数据。
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公开(公告)号：CN109801885A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811207296.9
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种电子设备，包括：电路板；半导体器件封装，安装在电路板上，该半导体器件封装包括连接到电路板的封装衬底，并排地安装在封装衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，以及围绕第一半导体器件的侧壁和第二半导体器件的侧壁的模制件，该模制件不覆盖第一半导体器件的顶表面；以及散热结构，在半导体器件封装上，第一半导体器件的顶表面与散热结构接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409248A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610602118.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种数模转换器，包括放大器，包括与非反相输入端子相应的至少两个输入端子；以及斩波单元，在提供给与非反相输入端子相应的所述至少两个输入端子的电压之间执行斩波操作。数模转换器具有X+Y比特结构，并通过同时执行插值斩波操作和/或主缓冲器斩波操作来去除偏移。数模转换器结构可被实现在小的面积中，并且可以处理高比特图像数据。
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公开(公告)号：CN102867813B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201210171275.2
申请日：2012-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/4814 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/5225 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01066 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种电子装置。该电子装置包括设置在电路基底上的第一半导体封装。第二半导体封装设置在电路基底上，并与第一半导体封装隔开。绝缘的电磁屏蔽结构设置在第一半导体封装的顶表面和侧表面上。导电的电磁屏蔽结构设置在电路基底上，以覆盖第一半导体封装、第二半导体封装及绝缘的电磁屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN103426392A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310192420.X
申请日：2013-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: H05B37/02 , G09G3/3648 , G09G3/3696 , G09G2320/0276 , G09G2320/0673
Abstract: 本发明提供了伽马电压产生电路及包括伽马电压产生电路的显示装置。一种伽马电压产生电路，包括：伽马电压分配单元，配置为对基准电压进行划分以产生多个初始伽马基准电压；以及伽马电压选择单元，配置为通过从所述多个初始伽马基准电压中选择与第一彩色像素相对应的第一伽马基准电压以及从所述多个初始伽马基准电压中选择与第二彩色像素相对应的第二伽马基准电压来产生伽马基准电压。在此，被共同地选为所述第一伽马基准电压和所述第二伽马基准电压的各初始伽马基准电压的输出部分由所述第一伽马基准电压的输入部分和所述第二伽马基准电压的输入部分共享。
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公开(公告)号：CN102956587A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210292292.1
申请日：2012-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/06 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体封装、封装堆叠结构及其上封装。该封装堆叠结构包括：上封装，包括具有第一边缘和与其相反的第二边缘的上封装基板，上封装基板具有靠近第一边缘布置的第一区和靠近第二边缘布置的第二区，上封装包括叠置在上封装基板上的第一上半导体器件；下封装，具有下封装基板和下半导体器件并且通过多个封装间连接器连接到上封装。多个封装间连接器包括：第一封装间连接器，传输数据信号；第二封装间连接器，传输地址/控制信号；第三封装间连接器，提供用于地址/控制电路的电源电压；第四封装间连接器，提供用于数据电路的电源电压。第一和第二封装间连接器的大部分设置在第一区中，而第三封装间连接器的大部分设置在第二区中。
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公开(公告)号：CN102487059A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110402818.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/50
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/3128 , H01L23/5226 , H01L23/552 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1088 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 提供了一种堆叠式封装结构。该堆叠式封装结构包括堆叠式封装件以及围绕该堆叠式封装件的侧表面和顶表面的电磁屏蔽层，所述堆叠式封装件包括：下半导体封装件；上半导体封装件，设置在下半导体封装件上，并与下半导体封装件隔开预定距离；封装件间连接部，将下半导体封装件和上半导体封装件电连接，同时支撑下半导体封装件和上半导体封装件之间的空间；绝缘层，至少设置在封装件间连接部的外部，并填充下半导体封装件和上半导体封装件之间的空间。
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