公开(公告)号：CN116313974A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211632203.3

申请日：2022-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢枓 ,  金圣协 ,  金贤真 ,  李钟俱 ,  韩东暻

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种设备包括：卡盘，其具有被配置为支撑基板的上表面；固定单元，其被配置为产生用于将基板沿第一垂直方向固定到卡盘的夹持力并将夹持力施加到基板；以及控制器，其被配置为基于与当将基板固定到卡盘的上表面时重叠恶化的程度相对应的参考重叠分布，来在垂直于第一方向的平面上将卡盘划分为多个区域，并且独立地控制施加到多个区域中的每一个的夹持力的相应大小。控制器被配置为减小施加到多个区域中的包括具有参考重叠分布中的高重叠恶化的程度的区的区域的夹持力的大小。

公开(公告)号：CN115776754A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210679515.3

申请日：2022-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋镐石 ,  金圣协 ,  李寅载 ,  金桢吉

IPC: H05G2/00

Abstract: 一种用于极紫外(EUV)光发生器的聚光镜，包括：第一镜，在容器中，该容器被配置为接收用于生成EUV光的材料和激光束；第二镜，围绕第一镜；以及可拆卸的第三镜，在第一镜和第二镜之间，第三镜具有不小于第一镜的外径的内径和不大于第二镜的内径的外径。

公开(公告)号：CN110875219A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910807004.3

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了衬底接合设备和衬底接合方法。衬底接合设备包括：衬底基座，支撑第一衬底；位于衬底基座上方的衬底保持器，保持第二衬底；衬底保持器包括多个可独立移动的保持指状物；以及腔室壳体，容纳衬底基座和衬底保持器。

公开(公告)号：CN118480770A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410178498.4

申请日：2024-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相烨 ,  崔世彬 ,  朴智誉 ,  黄炳浩 ,  金圣协 ,  安泰兴

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52

Abstract: 提供了一种源气体喷嘴和一种半导体晶圆处理设备。该源气体喷嘴包括：上游管；下游管；和连接上游管和下游管的U形弯管，其中多个第一排气孔沿着上游管和下游管中的至少一个在纵长方向上设置，并且非排气孔区和包括多个第二排气孔的不对称排气孔区设置在上游管和下游管中的相对的管中，并且其中非排气孔区和不对称排气孔区相邻。

公开(公告)号：CN115679287A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210841861.7

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄炳㯙 ,  李尚昱 ,  金圣协 ,  金建佑 ,  崔峻荣 ,  郑相勋

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中，并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方，并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方，使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接。气体引导构件具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔，并且多个引导孔设置在气体引导构件的内表面上。

公开(公告)号：CN110871396A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910599793.6

申请日：2019-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪银璟 ,  具男一 ,  李知珉 ,  金圣协 ,  吴相演 ,  全翊善 ,  崔芝旼

IPC: B24B37/013 ,  H01L21/67

Abstract: 一种化学机械抛光设备包括：抛光头，其包括抛光头主体、附于抛光头主体的下部的薄膜和布置在抛光头主体与薄膜之间的反射器；包括开口的托盘；发射器，其布置在托盘的开口下方，该发射器被构造为发射太赫波；检测器，其布置在托盘的开口下方，该检测器被构造为接收从发射器发射的太赫波和从反射器反射的太赫波；以及分析器，其被构造为分析通过转换由检测器接收到的太赫波而产生的电信号，该分析器被构造为确定抛光结束点。

公开(公告)号：CN110871186A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910547312.7

申请日：2019-06-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 全炫周 ,  金大城 ,  李承汉 ,  金圣协

IPC: B08B3/02 ,  B08B13/00

Abstract: 公开了一种用于清洁旋涂仪的碗的夹具和包括其的设备。被构造为清洁旋涂仪的碗的夹具包括设置在旋涂仪的旋转卡盘上的基体，基体被构造为通过旋转卡盘进行旋转。该夹具还包括引导构件，引导构件在第一方向上从基体的边缘部分朝向碗的内盖延伸，并且被构造为将喷射到基体的下表面的下清洁剂引导到碗的内盖。碗的内盖被构造为接收光致抗蚀剂并位于旋转卡盘下方。

公开(公告)号：CN110729227A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910210566.X

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙沂周 ,  金圣协

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供了用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法。所述用于结合基底的真空吸盘包括：吸盘板，包括真空孔以保持基底；隔板，布置在吸盘板中，隔板将吸盘板划分为多个区域；以及温度控制构件，位于多个区域中的每个区域中，温度控制构件独立地控制每个区域中的温度，以使基底的与每个区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。

公开(公告)号：CN110718520A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910524384.X

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  金圣协 ,  金孝柱 ,  李镐昌 ,  罗正玟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。

公开(公告)号：CN110690138A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910174288.7

申请日：2019-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了晶圆键合设备以及使用其的晶圆键合系统，所述晶圆键合设备包括：第一键合卡盘，将第一晶圆固定在第一键合卡盘的第一表面上；第二键合卡盘，将第二晶圆固定在第二键合卡盘的面对第一表面的第二表面上；键合起始构件，位于第一键合卡盘的中心处以将第一晶圆推向第二表面；以及膜构件，包括从第二表面的中心部分朝向第一表面突出的突起以及在围绕中心部分的外部区域上限定突起的平面部分。