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公开(公告)号：CN118480770A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410178498.4
申请日：2024-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , C23C16/52
Abstract: 提供了一种源气体喷嘴和一种半导体晶圆处理设备。该源气体喷嘴包括：上游管；下游管；和连接上游管和下游管的U形弯管，其中多个第一排气孔沿着上游管和下游管中的至少一个在纵长方向上设置，并且非排气孔区和包括多个第二排气孔的不对称排气孔区设置在上游管和下游管中的相对的管中，并且其中非排气孔区和不对称排气孔区相邻。
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