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公开(公告)号：CN110224050B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910155558.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层上的透明电极层，该透明电极层与第二导电类型的半导体层的边缘间隔开；发光结构上的覆盖透明电极层的第一绝缘层，第一绝缘层包括连接至透明电极层的多个孔；以及反射电极层，其在第一绝缘层上并且通过所述多个孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN110085716B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201910035212.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
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公开(公告)号：CN115643755A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210812817.3
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。
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公开(公告)号：CN108305925B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN115223920A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210410580.6
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/74 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置包括具有有源区域的衬底和衬底中的字线沟槽。字线沟槽包括具有第一宽度的下部、以及在下部与衬底的表面之间延伸并且具有大于第一宽度的第二宽度的上部。提供了在字线沟槽的底部中延伸并且与字线沟槽的底部相邻的字线。提供了在字线与字线沟槽的下部的侧壁之间延伸的栅极绝缘层。电绝缘栅极封盖层设置在字线沟槽的上部中。提供了在栅极封盖层与字线沟槽的上部的侧壁之间延伸的绝缘衬层。栅极绝缘层在绝缘衬层与栅极封盖层的在字线沟槽的上部内延伸的部分之间延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224050A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910155558.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层上的透明电极层，该透明电极层与第二导电类型的半导体层的边缘间隔开；发光结构上的覆盖透明电极层的第一绝缘层，第一绝缘层包括连接至透明电极层的多个孔；以及反射电极层，其在第一绝缘层上并且通过所述多个孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN109904302A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201810803089.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光器件包括具有第一表面和第二表面的发光芯片。第一光反射图案形成在第二表面上。多个端子设置成通过穿过第一光反射图案而连接到发光芯片。第二光反射图案形成在发光芯片的侧表面和第一光反射图案的侧表面上。透光图案形成在发光芯片和第二光反射图案之间并且在第一光反射图案和第二光反射图案之间延伸。波长转换层形成在发光芯片的第一表面上。
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公开(公告)号：CN108183155A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L33/46 , H01L2224/0401 , H01L2224/10126 , H01L2224/13006 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L33/38 , H01L33/40
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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公开(公告)号：CN102315350B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110183378.6
申请日：2011-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L2933/0025 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明公开了半导体发光二极管及其制造方法。制造半导体发光二极管(LED)的方法包括：在具有凸起和凹陷的基板上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；从发光结构去除基板，以暴露对应于凸起和凹陷的第一凹凸部；在第一凹凸部上形成保护层；去除保护层的一部分，以暴露第一凹凸部的凸部；以及在第一凹凸部的凸部上形成第二凹凸部。半导体发光二极管(LED)包括：包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层的发光结构；形成在发光结构上并在其凸部处具有第二凹凸部的第一凹凸部；以及填充第一凹凸部的凹部的保护层。
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公开(公告)号：CN102856481A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210226038.1
申请日：2012-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件封装件，其包括：具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上的光源；布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上的多个电极焊盘；从所述多个电极焊盘延伸并且穿透所述半导体衬底的导电通孔；以及包括多个二极管的驱动电路单元，通过由p型区和n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源。
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