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公开(公告)号：CN110085716A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910035212.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
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公开(公告)号：CN110224050B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910155558.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层上的透明电极层，该透明电极层与第二导电类型的半导体层的边缘间隔开；发光结构上的覆盖透明电极层的第一绝缘层，第一绝缘层包括连接至透明电极层的多个孔；以及反射电极层，其在第一绝缘层上并且通过所述多个孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN110085716B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201910035212.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
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公开(公告)号：CN110224050A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910155558.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层上的透明电极层，该透明电极层与第二导电类型的半导体层的边缘间隔开；发光结构上的覆盖透明电极层的第一绝缘层，第一绝缘层包括连接至透明电极层的多个孔；以及反射电极层，其在第一绝缘层上并且通过所述多个孔连接至透明电极层。
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