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公开(公告)号：CN100557820C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610054967.3
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/11507 , H01L27/2436 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种利用该半导体器件的随机存取存储器(RAM)，该半导体器件利用了SOI结构的优点，同时控制着主体偏压并具有高的工作电流和低的接触电阻的高性能。该半导体器件包括：在半导体衬底上以成对鳍形成的一对沟道区；对应于所述一对沟道区的栅电极；并行电连接到形成于所述一对鳍的每个上的源极的源极接触插塞；以及并行电连接到所述漏极的漏极接触插塞。该半导体器件还可以包括所述漏极接触插塞上的存储节点，或者位于所述沟道区和栅电极之间的存储节点。
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公开(公告)号：CN100477226C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510103902.9
申请日：2005-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112
CPC classification number: G11C11/5621 , B82Y10/00 , G11C11/5607 , G11C11/5628 , G11C11/5657 , G11C13/025 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L29/0692 , H01L29/4232 , H01L29/7923
Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。
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公开(公告)号：CN101192647A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
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公开(公告)号：CN101030622A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610132100.5
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/73
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101026177A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064359B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610142401.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。
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公开(公告)号：CN101192647B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
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公开(公告)号：CN1976039B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
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公开(公告)号：CN101101964A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710091903.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李殷洪 , 赵重来 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。
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公开(公告)号：CN101075629A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610165950.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。
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