-
公开(公告)号：CN101101964A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710091903.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李殷洪 , 赵重来 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN101101964B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710091903.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李殷洪 , 赵重来 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN101097988B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610160399.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵重来 , 李殷洪 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克 , 埃尔·M·鲍里姆
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN101097988A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610160399.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵重来 , 李殷洪 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克 , 埃尔·M·鲍里姆
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
