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公开(公告)号：CN1755942A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510087415.8
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供了一种具有n型碳纳米管的场效应管(CNT FET)以及制备该n型CNT FET的方法。该n型CNT FET包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成于栅极氧化层上的栅极电极，其中栅极氧化层含有电子施主原子，该电子施主原子向碳纳米管贡献电子，使得碳纳米管是由电子施主原子n掺杂的。
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公开(公告)号：CN1660696A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004590.6
申请日：2005-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1637927A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410010486.3
申请日：2004-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。该MRAM包括开关器件和与该开关器件相连的MTJ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属膜的一磁性膜。
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公开(公告)号：CN1433022A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02145701.8
申请日：2002-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/14
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种高密度磁随机存取存储器及其操作方法。该高密度磁存储器包括：形成在衬底上的垂直晶体管；形成在垂直晶体管上的磁存储元件，该磁存储元件使用磁性材料来存储数据；通过磁性存储元件连接晶体管的位线；在位线之上并跨过位线的用于写入的字线；以及形成在用于写入的字线和用于写入的字线之下的其它元件之间的绝缘层。根据该高密度磁存储器，可以制造具有垂直晶体管的高密度磁存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100495656C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510083364.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴永洙 , 朴玩濬 , 亚历山大·A·萨拉宁 , 安德雷·V·佐托夫
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , Y10S977/742 , Y10S977/777
Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点；以及在对应于所述第一纳米点的区域中形成在所述第一纳米点之下的金属纳米点，其中所述金属纳米点形成在所述硅衬底和所述氧化硅层之间，或者形成在所述氧化硅层上。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。
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公开(公告)号：CN100474623C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510087415.8
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供了一种具有n型碳纳米管的场效应管(CNT FET)以及制备该n型CNT FET的方法。该n型CNT FET包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成于栅极氧化层上的栅极电极，其中栅极氧化层含有电子施主原子，该电子施主原子向碳纳米管贡献电子，使得碳纳米管是由电子施主原子n掺杂的。
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公开(公告)号：CN100440372C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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公开(公告)号：CN1970441A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510126739.8
申请日：2005-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/842
Abstract: 本发明提供一种在室温和大气压下合成单壁碳纳米管的方法。该方法包括形成包含有机金属化合物和碳供应源的溶液，该机金属化合物含有催化剂颗粒；向该溶液中加入载体，其中所述碳纳米管合成在该载体的表面上；及向加入载体的溶液施加超声波。
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公开(公告)号：CN1895998A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610009244.1
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y10S977/845
Abstract: 本发明提供一种利用H2O等离子体在相对低温下生长良好的单壁碳纳米管的方法。该方法包括：准备真空室；在该真空室中制备其上沉积有催化剂金属的基底；蒸发要供应给真空室中的H2O；在真空室中产生H2O等离子体放电；及向真空室中供应源气体，从而在H2O等离子体气氛中在基底上生长碳纳米管。
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