半导体器件以及形成半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN110707076A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201810816627.2

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括:单极性部件,该单极性部件至少包括:外延层;过渡层,该过渡层连接到该外延层;以及旁路部件,该旁路部件连接到该过渡层;其中,该单极性部件和该旁路部件并联,并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。

    半导体基板和半导体元件
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106233440B

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201580020389.9

    申请日:2015-03-12

    Abstract: 本发明是一种半导体基板,具有:基板;缓冲层,由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成;高电阻层,由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成;以及,沟道层,由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成;所述半导体基板的特征在于,所述高电阻层,具有:第一区域,所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低;以及,第二区域,设置于所述第一区域和所述沟道层之间,并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。从而,提供一种半导体基板,能够一边维持高电阻层的高电阻一边提高结晶性,从而来降低漏泄电流,并且也提高被形成在所述半导体基板上的沟道层的结晶性,因而能够抑制沟道层中的电子迁移率的降低和电流坍塌的发生等。

    半导体器件以及形成半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN110707076B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN201810816627.2

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括:单极性部件,该单极性部件至少包括:外延层;过渡层,该过渡层连接到该外延层;以及旁路部件,该旁路部件连接到该过渡层;其中,该单极性部件和该旁路部件并联,并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。

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