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公开(公告)号：CN101232038A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810033926.5
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明涉及到相变存储芯片(PCRAM)的高密度相变存储单元结构、三维电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现PCRAM芯片存储阵列的高密度，通过三维立体布局设计，把基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的外围电路放在存储阵列的下面，上述外围电路晶片通过CMP(化学机械抛光)工艺实现平坦化。对P型或N型硅片进行外延技术形成N/P(或P/N)结，通过对准装置实现该硅片与上述CMOS硅片的低温键合，通过晶片剥离技术或背面减薄的技术实现CMOS片上的整片N/P(或P/N)结，接着在其之上制备可逆相变电阻，之后采用Cu互联，最后通过常规的封装技术实现整个芯片；从而整体实现三维立体1R1D芯片结构。
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公开(公告)号：CN101214916A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710173680.7
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺的微机械测试探卡及制作方法。其特征在于在硅片上，利用电镀金属镍制作形成悬臂与探针针尖；探针针尖制作在硅片的(111)斜面上，且每个探针针尖由一个或两个探针悬臂与陶瓷基板相链接；探针悬臂与探针针尖采用等应力梁结构；倒装焊列基板上的探针在两个方向密集排布。制作特征在于首先利用(100)硅片的上表面作为电镀工作面，电镀形成低应力镍层的探针悬臂，随后利用各向异性腐蚀产生的深槽(111)斜面作为工作面，电镀形成低应力镍层的探针针尖，再采用倒装焊的工艺将探针链接到封装基板上，最后采用将硅片腐蚀去除的方法释放探针结构。
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公开(公告)号：CN101114666A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710044534.4
申请日：2007-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/552 , H01L21/84 , G11C11/56
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相变电阻和一个pn结二极管构成，形成1D1R结构。利用SiO2等介质材料把1D1R封装起来，加上1D1R器件单元小以及射线、粒子可作用的几率小等优点，从而实现了抗辐照的1D1R存储单元。存储单元通过上下电极散热，通过相变材料与电极材料之间热阻层的厚度调节热量平衡点。由抗辐照的1D1R存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成抗辐照的相变存储器。
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公开(公告)号：CN100356567C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410053752.0
申请日：2004-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。
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公开(公告)号：CN100335581C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410084490.4
申请日：2004-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/18
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)，(0≤x≤0.5，0≤y≤1.0，且x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101016439A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710037163.7
申请日：2007-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光浆液，此浆液包含pH调节剂、表面活性剂、水性介质及一种复合研磨颗粒。该复合研磨粒子是由基材颗粒碳化硼表面包覆一层粒子所构成。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，蓝宝石衬底的抛光速率达到了180nm/min，表面粗糙度降低到了7.5以下，蓝宝石的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN1314974C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410053566.7
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50-200nm，间距2-5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。
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公开(公告)号：CN1953229A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610117815.3
申请日：2006-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的锗钛基存储材料及制备方法。本发明锗钛基存储材料组成式为GexTiy，式中x、y为元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。所述的GexTiy基存储材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于实现数据存储。与传统的用于相变存储器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相变薄膜材料相比，锗钛基存储材料组分更简单，不含任何有毒元素，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种新型的、对环境友好的可用于相变存储器的存储材料。
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公开(公告)号：CN1933207A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610117153.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状加热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相变材料层上覆盖有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并在其内填充了与相变材料相通的上电极材料。本发明将相变材料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的孔洞里，在电脉冲对存储单元进行操作时，使相变材料处于高温，高压环境下，优先发生相变，诱导周围的相变材料进一步相变，从而实现相变存储单元的低压、低功耗、高速功能。
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公开(公告)号：CN1915595A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610030551.8
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中，增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复，使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测，将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比，不仅可以减少抛光液的消耗，而且可以减少抛光液后处理所带来的不便，是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。
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