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公开(公告)号：CN1953229A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610117815.3
申请日：2006-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的锗钛基存储材料及制备方法。本发明锗钛基存储材料组成式为GexTiy，式中x、y为元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。所述的GexTiy基存储材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于实现数据存储。与传统的用于相变存储器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相变薄膜材料相比，锗钛基存储材料组分更简单，不含任何有毒元素，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种新型的、对环境友好的可用于相变存储器的存储材料。
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