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公开(公告)号：CN109988507A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711473665.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，特别是涉及一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种抛光液，按重量百分比计，包括如下组分：磨料10‑59%；表面活性剂0.005‑1%；去离子水40‑89%；pH值调节剂适量；所述抛光液的pH值范围为2‑10。本发明所提供的抛光液可应用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光工艺中，采用本发明提供的抛光液对氧化锆进行抛光，可以使得氧化锆陶瓷表面粗糙度小于0.2nm，抛光速率大于6μm/h，并可有效消除凹坑、凸起、划痕等表面缺陷。
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公开(公告)号：CN109935270A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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公开(公告)号：CN106354890B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201611041427.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F16/13
Abstract: 本发明提供一种基于N‑ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法，以页为单位来管理文件系统所有的文件数据；在文件系统中设置iNode区和数据区，所述数据区包括节点页和数据页；所述iNode区中所存储的iNode节点包括N‑ary树级数字段和N‑ary树根节点字段；以文件所对应的第N级节点页页号为根节点，以第（N‑1）级节点页页号为第1级子节点，以此类推，以第1级节点页页号为第（N‑1）级子节点，形成一个N‑ary树以对该文件的所有数据进行存储管理；其中第1级节点页为数据页；N‑ary树的遍历顺序为数据页的逻辑顺序。本发明的基于N‑ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法实现文件数据在物理存储空间内的随机存储，从而最大化地提高文件系统整体的运行效率。
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公开(公告)号：CN109754076A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811610471.9
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供多核心类脑芯片，通过由节点信号处理模块阵列、功能模块阵列、第一双向接口、及第二双向接口组成的结构与逻辑，解决了当前人工神经网络依赖数据学习进行预测，过于依赖数据的输入和输出，绕过了对目标的理解和建模，无法做到理解目标，不能做出合理性判断和逻辑推演，而且难以进行故障分析的技术问题。
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公开(公告)号：CN106044786B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610382474.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法，其主要作为抛光液使用提高抛光速度，所述制备方法是采用以下方法制备的：以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种，搅拌并加热，同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸，在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位，期间，滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5，保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度，同时减少划痕产生。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN108922960A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810680838.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/143 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法，其化学通式为GexSeySb100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20
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公开(公告)号：CN108666416A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710215955.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1-x层和单层化合物ScyTe1-y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1-x)-(ScyTe1-y)相变材料具有和传统Ge-Sb-Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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公开(公告)号：CN108648782A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN105869671B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610178596.3
申请日：2016-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生的非晶区域；S2：采用擦脉冲将所述相变存储器单元操作至低阻状态，使所述初始化写脉冲形成的非晶区域转化为面心立方晶粒区域；S3：采用默认写脉冲操作所述相变存储器单元。其中，在一次初始化后，可进一步验证初始化效果，并根据需要选择是否需要再次初始化。本发明使用初始化写脉冲，对阵列各单元的FCC晶粒区域进行控制，可以有效提高阵列平均写电阻，降低写电流，同时使得相变存储阵列的电阻分布更加集中。
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