公开(公告)号：CN110148668B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201910466004.1

申请日：2019-05-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 章思帆 ,  吴良才 ,  刘广宇 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料包括铝、钪、锑、碲四种元素，所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料的化学通式为(AlSc2)x(Sb2Te)y，其中，0

公开(公告)号：CN110148668A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910466004.1

申请日：2019-05-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 章思帆 ,  吴良才 ,  刘广宇 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Al-Sc-Sb-Te相变材料包括铝、钪、锑、碲四种元素，所述Al-Sc-Sb-Te相变材料的化学通式为(AlSc2)x(Sb2Te)y，其中，0

公开(公告)号：CN108922960A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810680838.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘广宇 ,  吴良才 ,  李涛 ,  章思帆 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法，其化学通式为GexSeySb100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20